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  • 微电子研究所 [52]
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Investigation of dipole origin at high k dielectric hetero-junction interface 期刊论文  OAI收割
49th IEEE Semiconductor, 2018
作者:  Ye TC(叶甜春);  Wang WW(王文武);  Zhou LX(周丽星)
  |  收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/05/20
Understanding dipole formation at dielectric/dielectric hetero-interface 期刊论文  OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018
作者:  Wang YR(王艳蓉);  Xiang JJ(项金娟);  Yang H(杨红);  Jing Zhang;  Zhao C(赵超)
  |  收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2019/05/20
Identification of interfacial defects in a Ge gate stack based on ozone passivation 期刊论文  OAI收割
Semiconductor Science and Technology, 2018
作者:  Wang YR(王艳蓉);  Xiang JJ(项金娟);  Yang H(杨红);  Zhang J(张静);  Zhao C(赵超)
  |  收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2019/05/20
Improved Ti germanosilicidation by Ge pre-amorphization implantation (PAI) for advanced contact technologies 期刊论文  OAI收割
Microelectronic Engineering, 2018
作者:  Mao SJ(毛淑娟);  Wang GL(王桂磊);  Xu J(许静);  Zhang D(张丹);  Luo X(罗雪)
  |  收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2019/05/05
Comprehensive investigation of the interfacial charges and dipole in GeOx/Al2O3 gate 期刊论文  OAI收割
Japanese Journal of Applied Physics, 2018
作者:  Wang YR(王艳蓉);  Xiang JJ(项金娟);  Yang H(杨红);  Zhang J(张静);  Zhao C(赵超)
  |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/05/20
Characteristics of Single Event Upsets induced by Heavy Ions in 28nm UTBB-FDSOI SRAM with Several Types of Radiation Harden Bit-cells 会议论文  OAI收割
作者:  Bo Mei;  Qingkui Yu;  Yong Ge;  Yi Sun;  Hongwei Zhang
  |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/10
Radiation and Annealing Characteristics of Interface traps in SOI NMOSFETs by the Direct-Current Current-Voltage Technique 会议论文  OAI收割
作者:  Li YY(李洋洋);  Li XJ(李晓静);  Li B(李博);  Gao LC(高林春);  Yan WW(闫薇薇)
  |  收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2019/05/09
Key technologies for dual high-k and dual metal gate integration 期刊论文  OAI收割
Chinese Physics B, 2018
作者:  Li YL(李永亮);  Wang WW(王文武);  Xu QX(徐秋霞)
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Impact of Ge Preamorphization Implantation on Both the Formation of Ultrathin TiSix and the Specific Contact Resistivity in TiSix/n-Si Contacts 期刊论文  OAI收割
IEEE Transactions on Electron Devices, 2018
作者:  Ye TC(叶甜春);  Mao SJ(毛淑娟);  Wang GL(王桂磊);  Xu J(许静);  Luo X(罗雪)
  |  收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2019/05/05
Dry Etching of Metal Inserted Poly-Si Stack for Dual High-k and Dual Metal Gate Integration 期刊论文  OAI收割
ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2018
作者:  Wang WW(王文武);  jing Zhang;  Xu QX(徐秋霞);  Li YL(李永亮)
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