机构

• 半导体研究所 [1]

采集方式

• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2000 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 存缴方式：iswitch     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 2.0-mev er+ implanted in silicon: depth distribution, damage profile and annealing behaviour 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics a-materials science & processing, 2000, 卷号: 71, 期号: 6, 页码: 689-693 作者:  Li, Y;  Tan, C;  Xia, Y;  Zhang, J;  Xue, C 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12