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西安光学精密机械研... [35]
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OAI收割 [35]
内容类型
专利 [35]
发表日期
2015 [1]
2012 [1]
2011 [1]
2007 [1]
2000 [1]
1998 [2]
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共35条,第1-10条
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内容类型:专利
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Optical semiconductor device, optical subassembly, and optical module
专利
OAI收割
专利号: US10312665, 申请日期: 2019-06-04, 公开日期: 2019-06-04
作者:
KITATANI, TAKESHI
;
OKAMOTO, KAORU
;
NAKAHARA, KOUJI
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提交时间:2019/12/26
III-V group compound devices with improved efficiency and droop rate
专利
OAI收割
专利号: US9099593, 申请日期: 2015-08-04, 公开日期: 2015-08-04
作者:
LI, ZHEN-YU
;
LIN, HON-WAY
;
LIN, CHUNG-PAO
;
HSIA, HSING-KUO
;
KUO, HAO-CHUNG
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提交时间:2019/12/23
Photonic crystal surface emitting laser and method of manufacturing the same
专利
OAI收割
专利号: US20120327966A1, 申请日期: 2012-12-27, 公开日期: 2012-12-27
作者:
NUMATA, AIHIKO
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提交时间:2019/12/31
EL semiconductor device
专利
OAI收割
专利号: US7899104, 申请日期: 2011-03-01, 公开日期: 2011-03-01
作者:
KISHINO, KATSUMI
;
NOMURA, ICHIRO
;
ASATSUMA, TSUNENORI
;
TASAI, KUNIHIKO
;
TAMAMURA, KOSHI
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提交时间:2019/12/26
Semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: US7298769, 申请日期: 2007-11-20, 公开日期: 2007-11-20
作者:
WATATANI, CHIKARA
;
TAKEMI, MASAYOSHI
;
OKUNUKI, YUICHIRO
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser device and optical disk apparatus using the same
专利
OAI收割
专利号: US6141364, 申请日期: 2000-10-31, 公开日期: 2000-10-31
作者:
ADACHI, HIDETO
;
KAMIYAMA, SATOSHI
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提交时间:2019/12/26
半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP2847702B2, 申请日期: 1998-11-06, 公开日期: 1999-01-20
作者:
池田 昌夫
;
中野 一志
;
戸田 淳
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP2758598B2, 申请日期: 1998-03-13, 公开日期: 1998-05-28
作者:
日野 功
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提交时间:2020/01/13
Buried heterostructure semiconductor laser fabricated on a p-type substrate
专利
OAI收割
专利号: US5692002, 申请日期: 1997-11-25, 公开日期: 1997-11-25
作者:
MIZUTANI, TOMOKO
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提交时间:2019/12/24
半導体発光素子
专利
OAI收割
专利号: JP2591333B2, 申请日期: 1996-12-19, 公开日期: 1997-03-19
作者:
麻多 進
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提交时间:2020/01/18