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浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 限定条件 内容类型：会议论文     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Linear avalanche photodetector based on CMOS process 会议论文  OAI收割 作者:  Ju Guohao;  Cheng Zhengxi;  Chen Yongping   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/11/13 无   Beryllium compensation doped InGaAs/GaAsSb superlattice photodiodes 会议论文  OAI收割 作者:  Jin C;  Wang FF;  Xu QQ;  Yu CZ;  Chen JX   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2018/11/20 Synthesis of transition metal (Cu, Fe and Co) doped ZnS nanostructures 会议论文  OAI收割 2012 2nd International Conference on Manipulation, Manufacturing and Measurement on the Nanoscale, 3M-NANO 2012, Xi'an, China, August 29, 2012 - September 1, 2012 作者:  ChangAi-Min 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2014/11/10 ZnS  solvothermal  phase transformation  doping  nanostructures   The oxygen adsorption and oxygen reduction reaction mechanism on nitrogen doped graphene: a first-principles study 会议论文  OAI收割 4th international symposium on carbon for catalysis, 大连, 2010-11-7 于良; 潘秀莲; 李微雪; 胡培君; 包信和 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/07/09 The oxygen adsorption and oxygen reduction reaction mechanism on nitrogen doped graphene: a first-principles study 会议论文  OAI收割 4th international symposium on carbon for catalysis, 中国, 2010-11-7 于良; 潘秀莲; 李微雪; 胡培君; 包信和 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2011/07/11 the oxygen adsorption and oxygen reduction reaction mechanism on nitrogen doped graphene：A first-principles study 会议论文  OAI收割 CarbonCat IV 4th international symposium on Carbon for Catalysis, 中国, 2010-11-7 于良; 潘秀莲; 李微雪; PeijunHu; 包信和 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2011/07/11 In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD 会议论文  OAI收割 international conference on silicon carbide and related materials, otsu, japan, oct 14-19, 2007 Sun, GS; Zhao, YM; Wang, L; Wang, L; Zhao, WS; Liu, XF; Ji, G; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/03/09 in-situ doping  boron  aluminum  memory effects  hot-wall LPCVD  4H-SiC   Thermoelectric properties of n-type (Bi2Se3)(x)(Bi2Te3)(1-x) crystals prepared by zone melting 会议论文  OAI收割 MAY 10-13, 2007 作者:  Jiang, Jun;  Li, Yali;  Xu, Gaojie;  Cui, Ping;  Chen, Lidong   |  收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2021/12/02 Heavily doped polycrystalline 3C-SiC growth on SiO2/Si(100) substrates for resonator applications 会议论文  OAI收割 6th european conference on silicon carbide and related materials, newcastle upon tyne, england, sep, 2006 Sun, G (Sun, Guosheng); Ning, J (Ning, Jin); Liu, X (Liu, Xingfang); Zhao, Y (Zhao, Yongmei); Li, J (Li, Jiaye); Wang, L (Wang, Lei); Zhao, W (Zhao, Wanshun); Wang, L (Wang, Liang) 收藏  |  浏览/下载：87/29  |  提交时间：2010/03/29 polycrystalline 3C-SiC  resonator  doping  SILICON-CARBIDE   Homoepitaxial growth of 4H-SiC multi-epilayers and its application to UV detection 会议论文  OAI收割 6th european conference on silicon carbide and related materials, newcastle upon tyne, england, sep, 2006 Liu, XF (Liu, X. F.); Sun, GS (Sun, G. S.); Zhao, YM (Zhao, Y. M.); Ning, J (Ning, J.); Li, JY (Li, J. Y.); Wang, L (Wang, L.); Zhao, WS (Zhao, W. S.); Luo, MC (Luo, M. C.); Li, JM (Li, J. M.) 收藏  |  浏览/下载：102/26  |  提交时间：2010/03/29 homoepitaxy  4H-SiC  multi-epilayer  UV detection  p(+)-pi-n(-)  ULTRAVIOLET PHOTODETECTOR  EPITAXIAL-GROWTH