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  • 西安光学精密机械研... [37]
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Epitaxially-Stacked High Efficiency Laser Diodes Near 905 nm 期刊论文  OAI收割
IEEE PHOTONICS JOURNAL, 2022, 卷号: 14, 期号: 6
作者:  
Zhao, Yuliang;  Yang, Guowen;  Zhao, Yongming;  Tang, Song;  Lan, Yu
  |  收藏  |  浏览/下载:35/0  |  提交时间:2022/11/08
Optical semiconductor device, optical subassembly, and optical module 专利  OAI收割
专利号: US10312665, 申请日期: 2019-06-04, 公开日期: 2019-06-04
作者:  
KITATANI, TAKESHI;  OKAMOTO, KAORU;  NAKAHARA, KOUJI
  |  收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2019/12/26
Two-dimensional electron gas characteristics of InP-based high electron mobility transistor terahertz detector 期刊论文  OAI收割
CHINESE PHYSICS B, 2018, 卷号: 27, 期号: 4
作者:  
Li, Jin-Lun;  Cui, Shao-Hui;  Xu, Jian-Xing;  Cui, Xiao-Ran;  Guo, Chun-Yan
  |  收藏  |  浏览/下载:36/0  |  提交时间:2018/05/14
III-V group compound devices with improved efficiency and droop rate 专利  OAI收割
专利号: US9099593, 申请日期: 2015-08-04, 公开日期: 2015-08-04
作者:  
LI, ZHEN-YU;  LIN, HON-WAY;  LIN, CHUNG-PAO;  HSIA, HSING-KUO;  KUO, HAO-CHUNG
  |  收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2019/12/23
Photonic crystal surface emitting laser and method of manufacturing the same 专利  OAI收割
专利号: US20120327966A1, 申请日期: 2012-12-27, 公开日期: 2012-12-27
作者:  
NUMATA, AIHIKO
  |  收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2019/12/31
EL semiconductor device 专利  OAI收割
专利号: US7899104, 申请日期: 2011-03-01, 公开日期: 2011-03-01
作者:  
KISHINO, KATSUMI;  NOMURA, ICHIRO;  ASATSUMA, TSUNENORI;  TASAI, KUNIHIKO;  TAMAMURA, KOSHI
  |  收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2019/12/26
Semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: US7298769, 申请日期: 2007-11-20, 公开日期: 2007-11-20
作者:  
WATATANI, CHIKARA;  TAKEMI, MASAYOSHI;  OKUNUKI, YUICHIRO
  |  收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser device and optical disk apparatus using the same 专利  OAI收割
专利号: US6141364, 申请日期: 2000-10-31, 公开日期: 2000-10-31
作者:  
ADACHI, HIDETO;  KAMIYAMA, SATOSHI;  KIDOGUCHI, ISAO;  UENOYAMA, TAKESHI;  MANNOH, MASAYA
  |  收藏  |  浏览/下载:19/0  |  提交时间:2019/12/26
半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP2847702B2, 申请日期: 1998-11-06, 公开日期: 1999-01-20
作者:  
池田 昌夫;  中野 一志;  戸田 淳
  |  收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP2758598B2, 申请日期: 1998-03-13, 公开日期: 1998-05-28
作者:  
日野 功
  |  收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2020/01/13