机构

• 西安光学精密机械研究... [4]
• 大连化学物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 专利 [5]

发表日期

• 2014 [1]
• 2001 [3]
• 1986 [1]

学科主题

• 物理化学 [1]

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 内容类型：专利     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 一种海胆状核-壳型Fe3O4@TiO2磁性微球及其制备和应用 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN201110410396.3, 申请日期: 2014-12-10, 公开日期: 2014-12-10 作者:  许国旺;  李华;  石先哲;  单圆鸿 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2015/11/16 Production method of iii nitride compound semiconductor substrate and semiconductor device 专利  OAI收割 专利号: WO2001084608A1, 申请日期: 2001-11-08, 公开日期: 2001-11-08 作者:  KOIKE, MASAYOSHI;  NAGAI, SEIJI;  TEZEN, YUTA   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31 Heat sink for a semiconductor device 专利  OAI收割 专利号: US20010003377A1, 申请日期: 2001-06-14, 公开日期: 2001-06-14 作者:  YOO, MYOUNG KI;  BAIK, YOUNG-JOON;  HONG, KYUNG TAE   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/30 Heat sink for a semiconductor device 专利  OAI收割 专利号: US20010003377A1, 申请日期: 2001-06-14, 公开日期: 2001-06-14 作者:  YOO, MYOUNG KI;  BAIK, YOUNG-JOON;  HONG, KYUNG TAE   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/30 Liquid-phase epitaxial growth equipment 专利  OAI收割 专利号: JP1986074331A, 申请日期: 1986-04-16, 公开日期: 1986-04-16 作者:  KUME ICHIRO;  TANAKA TOSHIO   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/18