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机构
微电子研究所 [8]
采集方式
OAI收割 [8]
内容类型
外文期刊 [8]
发表日期
2010 [1]
2009 [1]
2008 [1]
2001 [1]
1994 [1]
1993 [2]
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共8条,第1-8条
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内容类型:外文期刊
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Preparation and Characteristics of Nanoscale Diamond-Like Carbon Films for Resistive Memory Applications
外文期刊
OAI收割
2010
作者:
Fu D, Xie D, Zhang CH, et al.
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/26
Enhanced charge storage characteristics of silicon nanocrystals fabricated by electron-beam coevaporation of Si and SiOx(x=1 or 2)
外文期刊
OAI收割
2009
作者:
Li, WL
;
Jia, R
;
Chen, C
;
Wu, NJ
;
Tamotsu, H
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/11/26
Microcrystalline Silicon
Raman-spectra
Memory
Films
Micro thermal shear stress sensor based on vacuum anodic bonding and bulk-micromachining
外文期刊
OAI收割
2008
作者:
Yi, L
;
Ou, Y
;
Shi, SL
;
Ma, J
;
Chen, DP
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2010/11/26
Resist hardening by fluorocarbon plasma for electron-beam and optical mix-and-match lithography
外文期刊
OAI收割
2001
作者:
Hai, CH
;
Chan, VWC
;
Chan, PCH
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2010/11/26
Field-emission
Growth
Arrays
Catalysts
Deposition
Emitters
Films
DEPOSITION OF GALLIUM OXIDE AND INDIUM OXIDE ON GAAS FOR IN-SITU PROCESS USE BY ALTERNATING SUPPLY OF TEGA, TMIN, AND H2O2 AS SURGE PULSES
外文期刊
OAI收割
1994
作者:
OZASA, K
;
YE, TC
;
AOYAGI, Y
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提交时间:2010/11/26
COMPOSITION CHANGE OF INDIUM OXIDE FILM BY TRIETHYLGALLIUM IRRADIATION PREPARED FOR IN-SITU SELECTIVE EPITAXY USE
外文期刊
OAI收割
1993
作者:
OZASA, K
;
YE, TC
;
AOYAGI, Y
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2010/11/26
Beam-induced Modification
Insitu
Surfaces
THIN GALLIUM OXIDE FILM DEPOSITED IN VACUUM FOR INSITU PROCESS USE
外文期刊
OAI收割
1993
作者:
AOYAGI, Y
;
OZASA, K
;
YE, T
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2010/11/26
Electron-beam Lithography
Gaas Oxide
Area Epitaxy
Mask
Layer
Resist
ION IMPLANT COMPENSATION OF TENSILE-STRESS IN THICK SILICON-NITRIDE FILMS FOR X-RAY MASKS
外文期刊
OAI收割
1989
作者:
QINGYUN, D
;
LIANKUI, Z
;
MENGZHEN, C
;
JUNRU, M
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/26
Gratings