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半导体研究所 [4]
采集方式
OAI收割 [4]
内容类型
会议论文 [2]
期刊论文 [2]
发表日期
2009 [4]
学科主题
半导体材料 [2]
半导体化学 [1]
半导体物理 [1]
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浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
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限定条件
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
发表日期:2009
条数/页:
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In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD
会议论文
OAI收割
international conference on silicon carbide and related materials, otsu, japan, oct 14-19, 2007
Sun, GS
;
Zhao, YM
;
Wang, L
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Liu, XF
;
Ji, G
;
Zeng, YP
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2010/03/09
in-situ doping
boron
aluminum
memory effects
hot-wall LPCVD
4H-SiC
Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer
会议论文
OAI收割
international conference on silicon carbide and related materials, otsu, japan, oct 14-19, 2007
Zhao, YM
;
Sun, GS
;
Liu, XF
;
Li, JY
;
Zhao, WS
;
Wang, L
;
Li, JM
;
Zeng, YP
收藏
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浏览/下载:54/0
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提交时间:2010/03/09
Silicon Carbide
Aluminum Nitride
buffer layer
LPCVD
Strong Spin-Orbit Interactions in an InAlAs/InGaAs/InAlAs Two-Dimensional Electron Gas by Weak Antilocalization Analysis
期刊论文
OAI收割
japanese journal of applied physics, 2009, 卷号: 48, 期号: 6, 页码: art. no. 063004
Sun L
;
Zhou WZ
;
Yu GL
;
Shang LY
;
Gao KH
;
Zhou YM
;
Lin T
;
Cui LJ
;
Zeng YP
;
Chu JH
收藏
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浏览/下载:73/0
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提交时间:2010/03/08
QUANTUM-WELLS
GRADED HETEROSTRUCTURES
LOCALIZATION
SCATTERING
SYSTEMS
TIME
HETEROJUNCTIONS
The application of SnS nanoparticles to bulk heterojunction solar cells
期刊论文
OAI收割
journal of alloys and compounds, 2009, 卷号: 482, 期号: 1-2, 页码: 203-207
作者:
Tan FR
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提交时间:2010/03/08
Nanostructures
SnS
Polymers
Solar cells