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2001 [5]
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Crystallog... [1]
半导体物理 [1]
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共5条,第1-5条
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发表日期:2001
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Epitaxial growth and electric characteristics of SrMoO3 thin films
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS, 2001, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: 930
Wang, HH
;
Yang, GZ
;
Cui, DF
;
Lu, HB
;
Zhao, T
;
Chen, F
;
Zhou, YL
;
Chen, ZH
;
Lan, YC
;
Ding, Y
;
Chen, L
;
Chen, XL
;
Liang, JK
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2013/09/17
Growth and characterization of SrMoO3 thin films
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2001, 卷号: 226, 期号: 2-3, 页码: 261
Wang, HH
;
Cui, DF
;
Zhou, YL
;
Chen, ZH
;
Chen, F
;
Zhao, T
;
Lu, HB
;
Yang, GZ
;
Xu, MC
;
Lan, YC
;
Chen, XL
;
Qian, HJ
;
Liu, FQ
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浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2013/09/17
The effects of pre-irradiation on the formation of Si
1-x
C
x
alloys
期刊论文
OAI收割
Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica, 2001, 卷号: 50, 页码: 1332-1333
作者:
Wang, Yin-Shu
;
Li, Jin-Min
;
Wang, Yan-Bin
;
Wang, Yu-Tian
;
Sun, Guo-Sheng
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提交时间:2019/03/27
Growth and characterization of SrMoO3 thin films
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2001, 卷号: 226, 期号: 2-3, 页码: #REF!
作者:
Wang, HH
;
Cui, DF
;
Zhou, YL
;
Chen, ZH
;
Chen, F
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提交时间:2016/04/12
characterization
crystal structure
pulsed laser deposition
oxide
perovskite
conducting materials
Photoluminescence characterization of 1.3 mu m In(Ga)As/GaAs islands grown by molecular beam epitaxy
会议论文
OAI收割
10th international conference on narrow gap semiconductors and related small energy phenomena, physics and applications (ngs10), kanazawa, japan, may 27-31, 2001
Niu ZC
;
Wang XD
;
Miao ZH
;
Lan Q
;
Kong YC
;
Zhou DY
;
Feng SL
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提交时间:2010/10/29
molecular beam epitaxy
InGaAs islands
photolumineseence
line-width
1.3 MU-M
INAS/GAAS QUANTUM DOTS
OPTICAL-PROPERTIES
CAP LAYER
GAAS
LUMINESCENCE
STRAIN