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Total ionizing dose effects in elementary devices for 180-nm flash technologies 期刊论文  OAI收割
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2011, 卷号: 51, 期号: 8, 页码: 1295-1301
Hu,ZY; Liu,ZL; Shao,H; Zhang,ZX; Ning,BX; Chen,M; Bi,DW; Zou,SC
收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2012/04/10
Comparison of TID response in core, input/output and high voltage transistors for flash memory 期刊论文  OAI收割
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2011, 卷号: 51, 期号: 6, 页码: 1148-1151
Liu,ZL; Hu,ZY; Zhang,ZX; Shao,H; Chen,M; Bi,DW; Ning,BX; Zou,SC
收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2012/04/10