机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2012 [1]
• 2011 [1]

学科主题

• 半导体器件 [2]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：半导体器件     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Improvement of characteristics of InGaN-based laser diodes with undoped InGaN upper waveguide layer 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2012, 2012, 卷号: 112, 112, 期号: 11, 页码: 113105, 113105 作者:  Chen P (Chen, P.);  Feng MX (Feng, M. X.);  Jiang DS (Jiang, D. S.)   |  收藏  |   High power passively mode-locked Nd:YVO(4) laser using graphene oxide as a saturable absorber 期刊论文  OAI收割 laser physics, LASER PHYSICS, 2011, 2011, 卷号: 21, 21, 期号: 12, 页码: 2072-2075, 2072-2075 作者:  Zhang L (Zhang L.);  Wang YG (Wang Y. G.);  Yu HJ (Yu H. J.);  Zhang SB (Zhang S. B.);  Hou W (Hou W.)   |  收藏  |