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Improvement of characteristics of InGaN-based laser diodes with undoped InGaN upper waveguide layer 期刊论文  OAI收割
journal of applied physics, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2012, 2012, 卷号: 112, 112, 期号: 11, 页码: 113105, 113105
作者:  Chen P (Chen, P.);  Feng MX (Feng, M. X.);  Jiang DS (Jiang, D. S.);  Zhao DG (Zhao, D. G.);  Liu ZS (Liu, Z. S.)
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