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Radiation Effects and Mechanisms on Switching Characteristics of Silicon Carbide Power MOSFETs 期刊论文  OAI收割
JOURNAL OF NANOELECTRONICS AND OPTOELECTRONICS, 2021, 卷号: 16, 期号: 9, 页码: 1423-1429
作者:  Feng, HN (Feng, Haonan) [1] , [2] , [3];  Yang, S (Yang, Sheng) [1] , [2] , [3];  Liang, XW (Liang, Xiaowen) [1] , [2] , [3];  Zhang, D (Zhang, Dan) [1] , [2] , [3];  Pu, XJ (Pu, Xiaojuan) [1] , [2] , [3]
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