中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [23]
采集方式
iSwitch采集 [19]
OAI收割 [4]
内容类型
期刊论文 [23]
发表日期
2012 [1]
2011 [2]
2010 [7]
2009 [3]
2008 [8]
2007 [2]
更多
学科主题
半导体材料 [3]
光电子学 [1]
筛选
浏览/检索结果:
共23条,第1-10条
帮助
限定条件
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
Carriers capturing of V-defect and its effect on leakage current and electroluminescence in InGaN-based light-emitting diodes
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 2012, 卷号: 101, 101, 期号: 25, 页码: 252110, 252110
作者:
Le LC (Le, L. C.)
;
Zhao DG (Zhao, D. G.)
;
Jiang DS (Jiang, D. S.)
;
Zhang SM (Zhang, S. M.)
;
Yang H (Yang, H.)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2013/03/20
1.3-mu m in(ga)as quantum-dot vcsels fabricated by dielectric-free approach with surface-relief process
期刊论文
iSwitch采集
Ieee photonics technology letters, 2011, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 91-93
作者:
Xu, D. W.
;
Yoon, S. F.
;
Ding, Y.
;
Tong, C. Z.
;
Fan, W. J.
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Dielectric-free approach
Quantum dot (qd)
Surface-relief technique
Vertical-cavity surface-emitting lasers (vcsels)
Electrical transport properties of the si-doped cubic boron nitride thin films prepared by in situ cosputtering
期刊论文
iSwitch采集
Journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 2, 页码: 5
作者:
Ying, J.
;
Zhang, X. W.
;
Yin, Z. G.
;
Tan, H. R.
;
Zhang, S. G.
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Effects of silicon incorporation on composition, structure and electric conductivity of cubic boron nitride thin films
期刊论文
iSwitch采集
Diamond and related materials, 2010, 卷号: 19, 期号: 11, 页码: 1371-1376
作者:
Ying, J.
;
Zhang, X. W.
;
Fan, Y. M.
;
Tan, H. R.
;
Yin, Z. G.
收藏
  |  
浏览/下载:30/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Cubic boron nitride
Doping
Ion beam assisted deposition
X-ray photoelectron spectroscopy
Measurement of w-inn/h-bn heterojunction band offsets by x-ray photoemission spectroscopy
期刊论文
iSwitch采集
Nanoscale research letters, 2010, 卷号: 5, 期号: 8, 页码: 1340-1343
作者:
Liu, J. M.
;
Liu, X. L.
;
Xu, X. Q.
;
Wang, J.
;
Li, C. M.
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Valence band offset
W-inn/h-bn heterojunction
X-ray photoelectron spectroscopy
Conduction band offset
Valence band offset
Self-heating effect in 1.3 mu m p-doped inas/gaas quantum dot vertical cavity surface emitting lasers
期刊论文
iSwitch采集
Journal of applied physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 6, 页码: 6
作者:
Xu, D. W.
;
Tong, C. Z.
;
Yoon, S. F.
;
Zhao, L. J.
;
Ding, Y.
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Gallium arsenide
Iii-v semiconductors
Indium compounds
Quantum dot lasers
Surface emitting lasers
Low threshold current density, low resistance oxide-confined vcsel fabricated by a dielectric-free approach
期刊论文
iSwitch采集
Applied physics b-lasers and optics, 2010, 卷号: 98, 期号: 4, 页码: 773-778
作者:
Ding, Y.
;
Fan, W. J.
;
Xu, D. W.
;
Tong, C. Z.
;
Liu, Y.
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Selective and lithography-independent fabrication of 20 nm nano-gap electrodes and nano-channels for nanoelectrofluidics applications
期刊论文
iSwitch采集
Nanotechnology, 2010, 卷号: 21, 期号: 7, 页码: 5
作者:
Zhang, J. Y.
;
Wang, X. F.
;
Wang, X. D.
;
Fan, Z. C.
;
Li, Y.
收藏
  |  
浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Measurement of w-InN/h-BN Heterojunction Band Offsets by X-Ray Photoemission Spectroscopy
期刊论文
OAI收割
nanoscale research letters, 2010, 卷号: 5, 期号: 8, 页码: 1340-1343
Liu JM (Liu J. M.)
;
Liu XL (Liu X. L.)
;
Xu XQ (Xu X. Q.)
;
Wang J (Wang J.)
;
Li CM (Li C. M.)
;
Wei HY (Wei H. Y.)
;
Yang SY (Yang S. Y.)
;
Zhu QS (Zhu Q. S.)
;
Fan YM (Fan Y. M.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
收藏
  |  
浏览/下载:144/21
  |  
提交时间:2010/08/17
Valence band offset
w-InN/h-BN heterojunction
X-ray photoelectron spectroscopy
Conduction band offset
Valence band offset
NEGATIVE ELECTRON-AFFINITY
INDIUM NITRIDE
WURTZITE GAN
SURFACE
FILM
ALN
TRANSPORT
EMISSION
NAXWO3
GROWTH
Effects of silicon incorporation on composition, structure and electric conductivity of cubic boron nitride thin films
期刊论文
OAI收割
diamond and related materials, 2010, 卷号: 19, 期号: 11, 页码: 1371-1376
Ying J (Ying J.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Fan YM (Fan Y. M.)
;
Tan HR (Tan H. R.)
;
Yin ZG (Yin Z. G.)
收藏
  |  
浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2010/12/28
Cubic boron nitride
Doping
Ion beam assisted deposition
X-ray photoelectron spectroscopy
RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY
VAPOR-DEPOSITION
SI
NUCLEATION
GROWTH