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The transport mechanism of gate leakage current in algan/gan high electron mobility transistors 期刊论文  iSwitch采集
European physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 55, 期号: 3, 页码: 5
作者:  Lin, D. F.;  Wang, X. L.;  Xiao, H. L.;  Wang, C. M.;  Jiang, L. J.
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Anomalous linear photogalvanic effect observed in a gan-based two-dimensional electron gas 期刊论文  iSwitch采集
Physical review b, 2011, 卷号: 84, 期号: 7, 页码: 5
作者:  Peng, X. Y.;  Zhang, Q.;  Shen, B.;  Shi, J. R.;  Yin, C. M.
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Electron spin relaxation in a single inas quantum dot measured by tunable nuclear spins 期刊论文  iSwitch采集
Physical review b, 2011, 卷号: 84, 期号: 3, 页码: 4
作者:  Dou, X. M.;  Sun, B. Q.;  Jiang, D. S.;  Ni, H. Q.;  Niu, Z. C.
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The influence of the ingan back-barrier on the properties of al0.3ga0.7n/aln/gan/ingan/gan structure 期刊论文  iSwitch采集
European physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 55, 期号: 1, 页码: 5
作者:  Bi, Y.;  Wang, X. L.;  Xiao, H. L.;  Wang, C. M.;  Peng, E. C.
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Properties investigation of gan films implanted by sm ions under different implantation and annealing conditions 期刊论文  iSwitch采集
Applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 104, 期号: 1, 页码: 429-432
作者:  Jiang, L. J.;  Wang, X. L.;  Xiao, H. L.;  Wang, Z. G.;  Yang, C. B.
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Room-temperature spin photocurrent spectra at interband excitation and comparison with reflectance-difference spectroscopy in ingaas/algaas quantum wells 期刊论文  iSwitch采集
Journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 5, 页码: 6
作者:  Yu, J. L.;  Chen, Y. H.;  Jiang, C. Y.;  Liu, Y.;  Ma, H.
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In-plane optical anisotropy in gaasn/gaas single-quantum well investigated by reflectance-difference spectroscopy 期刊论文  iSwitch采集
Journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 1, 页码: 5
作者:  Yu, J. L.;  Chen, Y. H.;  Ye, X. L.;  Jiang, C. Y.;  Jia, C. H.
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Electron spin relaxation by nuclei and holes in single inas quantum dots 期刊论文  iSwitch采集
Applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 22, 页码: 3
作者:  Dou, X. M.;  Chang, X. Y.;  Sun, B. Q.;  Xiong, Y. H.;  Niu, Z. C.
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Optical transitions of positively charged excitons and biexcitons in single inas quantum dots 期刊论文  iSwitch采集
Journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 10, 页码: 4
作者:  Chang, X. Y.;  Dou, X. M.;  Sun, B. Q.;  Xiong, Y. H.;  Niu, Z. C.
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An internally-matched gan hemts device with 45.2 w at 8 ghz for x-band application 期刊论文  iSwitch采集
Solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335
作者:  Wang, X. L.;  Chen, T. S.;  Xiao, H. L.;  Tang, J.;  Ran, J. X.
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