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  • 2013 [1]
学科主题
  • 光电子学 [1]
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Effect of V-defects on the performance deterioration of InGaN_GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes with varying barrier layer thickness 期刊论文  OAI收割
journal of applied physics, Journal of Applied Physics, 2013, 2013, 卷号: 114, 114, 期号: 14, 页码: 143706, 143706
作者:  
Le, L. C.;  Zhao, D. G.;  Jiang, D. S.;  Li, L.;  Wu, L. L.
  |  收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2014/04/09