中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [11]
采集方式
OAI收割 [11]
内容类型
期刊论文 [11]
发表日期
2014 [11]
学科主题
光电子学 [11]
筛选
浏览/检索结果:
共11条,第1-10条
帮助
限定条件
学科主题:光电子学
发表日期:2014
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
Unintentionally doped semi-insulating GaN with a low dislocation density grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
OAI收割
journal of vacuum science & technology b, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2014, 2014, 卷号: 32, 32, 期号: 5, 页码: 051207, 051207
作者:
He, XG
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Zhu, JJ
;
Chen, P
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:28/0
  |  
提交时间:2015/03/25
Correlation between the structural and cathodoluminescence properties in InGaN/GaN multiple quantum wells with large number of quantum wells
期刊论文
OAI收割
journal of vacuum science & technology a, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A, 2014, 2014, 卷号: 32, 32, 期号: 5, 页码: 051503, 051503
作者:
Yang, J
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Jahn, U
;
Chen, P
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:27/0
  |  
提交时间:2015/03/25
Effects of quantum well number on spectral response of InGaN/GaN multiple quantum well solar cells
期刊论文
OAI收割
physica status solidi a-applications and materials science, PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2014, 2014, 卷号: 211, 211, 期号: 9, 页码: 2157-2160, 2157-2160
作者:
Yang, J
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Chen, P
;
Liu, ZS
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2015/03/25
Influences of polarization effect and p-region doping concentration on the photocurrent response of solar-blind p-i-n avalanche photodiodes
期刊论文
OAI收割
chinese physics b, CHINESE PHYSICS B, 2014, 2014, 卷号: 23, 23, 期号: 2, 页码: 028503, 028503
作者:
Li, XJ
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Liu, ZS
;
Chen, P
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2015/03/20
Carrier thermalization under stimulated emission in In0.17Ga0.83N epilayer at room temperature
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 2014, 卷号: 105, 105, 期号: 23, 页码: 232104, 232104
作者:
Shang, ZJ
;
Zheng, XH
;
Yang, C
;
Chen, Y
;
Li, B
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2015/03/19
Performance comparison of front- and back-illuminated modes of the AlGaN-based p-i-n solar-blind ultraviolet photodetectors
期刊论文
OAI收割
journal of vacuum science & technology b, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2014, 2014, 卷号: 32, 32, 期号: 3, 页码: 031204, 031204
作者:
Li, XJ
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Liu, ZS
;
Chen, P
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2015/04/02
Suppression of electron leakage by inserting a thin undoped InGaN layer prior to electron blocking layer in InGaN-based blue-violet laser diodes
期刊论文
OAI收割
optics express, OPTICS EXPRESS, 2014, 2014, 卷号: 22, 22, 期号: 10, 页码: 11392-11398, 11392-11398
作者:
Le, LC
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Yang, H
;
Chen, P
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2015/03/25
The significant effect of the thickness of Ni film on the performance of the Ni/Au Ohmic contact to p-GaN
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 2014, 卷号: 116, 116, 期号: 16, 页码: 163708, 163708
作者:
Li, X. J.
;
Zhao, D. G.
;
Jiang, D. S.
;
Liu, Z. S.
;
Chen, P.
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2015/03/19
Investigation on the compensation effect of residual carbon impurities in low temperature grown Mg doped GaN films
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 2014, 卷号: 115, 115, 期号: 16, 页码: 163704, 163704
作者:
Yang, J
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Zhu, JJ
;
Yang, H
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2015/04/02
Effects of polarization and p-type GaN resistivity on the spectral response of InGaN/GaN multiple quantum well solar cells
期刊论文
OAI收割
chinese physics b, CHINESE PHYSICS B, 2014, 2014, 卷号: 23, 23, 期号: 6, 页码: 068801, 068801
作者:
Yang, J
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Liu, ZS
;
Chen, P
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2015/04/02