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  • 2003 [1]
学科主题
  • 半导体材料 [1]
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MBE生长的跨导为186 mS/mm的AlGaN/GaN HEMT 期刊论文  OAI收割
固体电子学研究与进展, 2003, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 484-488
王晓亮; 胡国新; 王军喜; 刘宏新; 孙殿照; 曾一平; 李晋闽; 孔梅影; 林兰英; 刘新宇; 刘键; 钱鹤
收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2010/11/23