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机构
半导体研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2003 [1]
学科主题
半导体材料 [1]
筛选
浏览/检索结果:
共1条,第1-1条
帮助
限定条件
学科主题:半导体材料
发表日期:2003
条数/页:
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MBE生长的跨导为186 mS/mm的AlGaN/GaN HEMT
期刊论文
OAI收割
固体电子学研究与进展, 2003, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 484-488
王晓亮
;
胡国新
;
王军喜
;
刘宏新
;
孙殿照
;
曾一平
;
李晋闽
;
孔梅影
;
林兰英
;
刘新宇
;
刘键
;
钱鹤
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提交时间:2010/11/23