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机构
半导体研究所 [5]
采集方式
OAI收割 [5]
内容类型
专利 [5]
发表日期
2008 [5]
学科主题
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浏览/检索结果:
共5条，第1-5条
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限定条件
内容类型：专利
发表日期：2008
条数/页：
5
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基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法
专利
OAI收割
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
作者:
刘兴昉
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浏览/下载：55/0
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提交时间：2009/06/11
一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置
专利
OAI收割
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
作者:
刘兴昉
收藏
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浏览/下载：50/0
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提交时间：2009/06/11
用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法
专利
OAI收割
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
作者:
刘兴昉
收藏
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浏览/下载：244/59
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提交时间：2009/06/11
一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置
专利
OAI收割
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2010-10-15
作者:
刘兴昉
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浏览/下载：97/15
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提交时间：2009/06/11
一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置
专利
OAI收割
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
作者:
刘兴昉
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浏览/下载：47/0
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提交时间：2009/06/11
