机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2008 [2]

学科主题

• 半导体材料 [2]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位    学科主题：半导体材料    发表日期：2008     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 VGF法生长的低位错掺Si-GaAs单晶的缺陷和性质 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 1775-1778 于会永; 赵有文; 占荣; 高永亮 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/23 高温退火处理提高半绝缘VGF-GaAs单晶的电学性能 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 1770-1774 占荣; 赵有文; 于会永; 高永亮; 惠峰 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/23