机构

• 半导体研究所 [7]

采集方式

• iSwitch采集 [5]
• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [7]

发表日期

• 2010 [7]

学科主题

• 半导体材料 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位    发表日期：2010     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Effects of silicon incorporation on composition, structure and electric conductivity of cubic boron nitride thin films 期刊论文  iSwitch采集 Diamond and related materials, 2010, 卷号: 19, 期号: 11, 页码: 1371-1376 作者:  Ying, J.;  Zhang, X. W.;  Fan, Y. M.;  Tan, H. R.;  Yin, Z. G. 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/05/12 Cubic boron nitride  Doping  Ion beam assisted deposition  X-ray photoelectron spectroscopy   Measurement of w-inn/h-bn heterojunction band offsets by x-ray photoemission spectroscopy 期刊论文  iSwitch采集 Nanoscale research letters, 2010, 卷号: 5, 期号: 8, 页码: 1340-1343 作者:  Liu, J. M.;  Liu, X. L.;  Xu, X. Q.;  Wang, J.;  Li, C. M. 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Valence band offset  W-inn/h-bn heterojunction  X-ray photoelectron spectroscopy  Conduction band offset  Valence band offset   Self-heating effect in 1.3 mu m p-doped inas/gaas quantum dot vertical cavity surface emitting lasers 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 6, 页码: 6 作者:  Xu, D. W.;  Tong, C. Z.;  Yoon, S. F.;  Zhao, L. J.;  Ding, Y. 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Gallium arsenide  Iii-v semiconductors  Indium compounds  Quantum dot lasers  Surface emitting lasers   Low threshold current density, low resistance oxide-confined vcsel fabricated by a dielectric-free approach 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics b-lasers and optics, 2010, 卷号: 98, 期号: 4, 页码: 773-778 作者:  Ding, Y.;  Fan, W. J.;  Xu, D. W.;  Tong, C. Z.;  Liu, Y. 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Selective and lithography-independent fabrication of 20 nm nano-gap electrodes and nano-channels for nanoelectrofluidics applications 期刊论文  iSwitch采集 Nanotechnology, 2010, 卷号: 21, 期号: 7, 页码: 5 作者:  Zhang, J. Y.;  Wang, X. F.;  Wang, X. D.;  Fan, Z. C.;  Li, Y. 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Measurement of w-InN/h-BN Heterojunction Band Offsets by X-Ray Photoemission Spectroscopy 期刊论文  OAI收割 nanoscale research letters, 2010, 卷号: 5, 期号: 8, 页码: 1340-1343 Liu JM (Liu J. M.); Liu XL (Liu X. L.); Xu XQ (Xu X. Q.); Wang J (Wang J.); Li CM (Li C. M.); Wei HY (Wei H. Y.); Yang SY (Yang S. Y.); Zhu QS (Zhu Q. S.); Fan YM (Fan Y. M.); Zhang XW (Zhang X. W.); Wang ZG (Wang Z. G.) 收藏  |  浏览/下载：144/21  |  提交时间：2010/08/17 Valence band offset  w-InN/h-BN heterojunction  X-ray photoelectron spectroscopy  Conduction band offset  Valence band offset  NEGATIVE ELECTRON-AFFINITY  INDIUM NITRIDE  WURTZITE GAN  SURFACE  FILM  ALN  TRANSPORT  EMISSION  NAXWO3  GROWTH   Effects of silicon incorporation on composition, structure and electric conductivity of cubic boron nitride thin films 期刊论文  OAI收割 diamond and related materials, 2010, 卷号: 19, 期号: 11, 页码: 1371-1376 Ying J (Ying J.); Zhang XW (Zhang X. W.); Fan YM (Fan Y. M.); Tan HR (Tan H. R.); Yin ZG (Yin Z. G.) 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2010/12/28 Cubic boron nitride  Doping  Ion beam assisted deposition  X-ray photoelectron spectroscopy  RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY  VAPOR-DEPOSITION  SI  NUCLEATION  GROWTH