中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [2]
采集方式
iSwitch采集 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2011 [2]
学科主题
筛选
浏览/检索结果:
共2条,第1-2条
帮助
限定条件
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
发表日期:2011
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
1.3-mu m in(ga)as quantum-dot vcsels fabricated by dielectric-free approach with surface-relief process
期刊论文
iSwitch采集
Ieee photonics technology letters, 2011, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 91-93
作者:
Xu, D. W.
;
Yoon, S. F.
;
Ding, Y.
;
Tong, C. Z.
;
Fan, W. J.
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Dielectric-free approach
Quantum dot (qd)
Surface-relief technique
Vertical-cavity surface-emitting lasers (vcsels)
Electrical transport properties of the si-doped cubic boron nitride thin films prepared by in situ cosputtering
期刊论文
iSwitch采集
Journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 2, 页码: 5
作者:
Ying, J.
;
Zhang, X. W.
;
Yin, Z. G.
;
Tan, H. R.
;
Zhang, S. G.
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2019/05/12