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  • 半导体研究所 [2]
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  • 2011 [2]
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1.3-mu m in(ga)as quantum-dot vcsels fabricated by dielectric-free approach with surface-relief process 期刊论文  iSwitch采集
Ieee photonics technology letters, 2011, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 91-93
作者:  
Xu, D. W.;  Yoon, S. F.;  Ding, Y.;  Tong, C. Z.;  Fan, W. J.
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Electrical transport properties of the si-doped cubic boron nitride thin films prepared by in situ cosputtering 期刊论文  iSwitch采集
Journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 2, 页码: 5
作者:  
Ying, J.;  Zhang, X. W.;  Yin, Z. G.;  Tan, H. R.;  Zhang, S. G.
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