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机构
半导体研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2012 [1]
学科主题
光电子学 [1]
筛选
浏览/检索结果:
共1条,第1-1条
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限定条件
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
学科主题:光电子学
条数/页:
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Carriers capturing of V-defect and its effect on leakage current and electroluminescence in InGaN-based light-emitting diodes
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 2012, 卷号: 101, 101, 期号: 25, 页码: 252110, 252110
作者:
Le LC (Le, L. C.)
;
Zhao DG (Zhao, D. G.)
;
Jiang DS (Jiang, D. S.)
;
Zhang SM (Zhang, S. M.)
;
Yang H (Yang, H.)
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提交时间:2013/03/20