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一种背栅ZnO多纳米线沟道场效应晶体管的制作方法 专利  OAI收割
专利号: CN101540287, 申请日期: 2009-04-23, 公开日期: 2009-09-23
作者:  付晓君;  徐静波;  张海英
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一种制备悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的方法 专利  OAI收割
专利号: CN101814435A, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2010-08-25, 2010-11-26
作者:  付晓君;  张海英;  徐静波;  黎明
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增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管及其制备方法 专利  OAI收割
专利号: CN101431028, 申请日期: 2008-11-25, 公开日期: 2009-05-13, 2010-11-26
作者:  徐静波;  付晓君;  黎明;  张海英
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一种制作背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的方法 专利  OAI收割
专利号: CN101728272A, 申请日期: 2008-10-24, 公开日期: 2010-06-09, 2010-11-26
作者:  黎明;  徐静波;  张海英;  付晓君
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一种制作顶栅氧化锌纳米线场效应晶体管的方法 专利  OAI收割
专利号: CN101728271A, 申请日期: 2008-10-24, 公开日期: 2010-06-09, 2010-11-26
作者:  张海英;  付晓君;  黎明;  徐静波
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一种ZnO背栅纳米线场效应管的制备方法 专利  OAI收割
专利号: CN101383291, 申请日期: 2008-09-26, 公开日期: 2009-03-11, 2010-11-26
作者:  张海英;  黎明;  付晓君;  徐静波
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GaAs基E/D PHEMT单片集成微波开关及其制作方法 专利  OAI收割
专利号: CN101615708, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-12-30, 2010-11-26
作者:  付晓君;  徐静波;  黎明;  张海英
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一种制作200nm栅长GaAs基MHEMT器件的方法 专利  OAI收割
专利号: CN101615580, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-12-30, 2010-11-26
作者:  黎明;  张海英;  徐静波;  付晓君
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在ZnO纳米线场效应管制备中实现ZnO纳米线固定的方法1 专利  OAI收割
专利号: CN101552203, 申请日期: 2008-04-02, 公开日期: 2009-10-07, 2010-11-26
作者:  付晓君;  张海英;  徐静波;  黎明
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单片集成GaAs基E/D MHEMT的制作方法 专利  OAI收割
专利号: CN101552236, 申请日期: 2008-04-02, 公开日期: 2009-10-07
作者:  黎明;  张海英;  徐静波;  付晓君
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