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  • 2019 [1]
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Effect of C-doped GaN film thickness on the structural and electrical properties of AlGaN/ GaN-based high electron mobility transistors 期刊论文  OAI收割
Semiconductor Science and Technology, 2019, 卷号: 34, 期号: 12, 页码: 125006
作者:  
Weizhen Yao;  Lianshan Wang;  Fangzheng Li;  Yulin Meng;  Shaoyan Yang ;   Zhanguo Wang
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