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  • 半导体材料 [1]
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一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法 专利  OAI收割
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
赵桂娟; 李志伟; 桑玲; 刘贵鹏; 刘长波; 谷承艳; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2014/10/29