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  • 半导体材料 [31]
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p-GaN/p-Al_xGa_(1-x)N异质结界面处二维空穴气的性质及其对欧姆接触的影响 期刊论文  OAI收割
物理学报, 2012, 卷号: 61, 期号: 21, 页码: 217302-1-217302-6
王晓勇,种明,赵德刚,苏艳梅
收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2013/05/29
AlGaN/GaN型气敏传感器对于C0的响应研究 期刊论文  OAI收割
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 7, 页码: 1387-1390
作者:  
王翠梅;  冯春;  肖红领
收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2010/11/23
AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究进展 期刊论文  OAI收割
固体电子学研究与进展, 2005, 卷号: 25, 期号: 1, 页码: 35-41
作者:  
王翠梅
收藏  |  浏览/下载:151/8  |  提交时间:2010/11/23
MBE生长的跨导为186 mS/mm的AlGaN/GaN HEMT 期刊论文  OAI收割
固体电子学研究与进展, 2003, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 484-488
王晓亮; 胡国新; 王军喜; 刘宏新; 孙殿照; 曾一平; 李晋闽; 孔梅影; 林兰英; 刘新宇; 刘键; 钱鹤
收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2010/11/23
赝形δ掺杂 AlGaAs/InGa As/GaAs量子阱的光致发光性质研究 期刊论文  OAI收割
红外与毫米波学报, 2000, 卷号: 19, 期号: 5, 页码: 333
王晓光; 常勇; 桂永胜; 褚君浩; 曹昕; 曾一平; 孔梅影
收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2010/11/23
Al_xGa_(1-x)N and GaN/Al_xGa_(1-x)N Quantum Wells Grown by Gas Sourc 期刊论文  OAI收割
半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 5, 页码: 407
王晓亮; 孙殿照; 张剑平; 孔梅影; 曾一平; 李晋闽; 林兰英
收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2010/11/23
In_xGa_(1-x)As/InP应变量子阱中激子跃迁能量随In组分的变化 期刊论文  OAI收割
半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 6, 页码: 417
王晓亮; 孔殿照; 孔梅影; 侯洵; 曾一平
收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2010/11/23
GaN压电效应对载流子浓度的影响 期刊论文  OAI收割
半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 7, 页码: 498
张剑平; 王晓亮; 孙殿照; 李晓兵; 傅荣辉; 孔梅影
收藏  |  浏览/下载:56/0  |  提交时间:2010/11/23
GSMBE GaN 膜的电子输运性质研究 期刊论文  OAI收割
半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 12, 页码: 890
王晓亮; 孙殿照; 孔梅影; 张剑平; 曾一平; 李晋闽; 林兰英
收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2010/11/23
压应变In(0.63)Ga(0.3)7As/InP单量子阱的变温光致发光研究 期刊论文  OAI收割
半导体学报, 1997, 卷号: 18, 期号: 9, 页码: 660
王晓亮; 孙殿照; 孔梅影; 侯洵; 曾一平
收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2010/11/23