机构

• 半导体研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 专利 [3]

发表日期

学科主题

• 半导体材料 [3]

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28 王晓亮; 李巍; 李百泉; 肖红领; 殷海波; 冯春; 姜丽娟; 邱爱芹; 王翠梅; 介芳 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2016/09/28 氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28 王晓亮; 李巍; 李百泉; 肖红领; 殷海波; 冯春; 姜丽娟; 邱爱芹; 王翠梅; 介芳 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2016/09/28 一种氮化镓基绝缘栅双极晶体管制备方法及其产品 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12 王晓亮; 闫俊达; 李百泉; 王权; 肖红领; 冯春; 殷海波; 姜丽娟; 邱爱芹; 介芳 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2016/09/12