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  • 半导体材料 [1]
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Low temperature characteristics of AlGaN/GaN high electron mobility transistors 期刊论文  OAI收割
european physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 56, 期号: 1, 页码: 10101
Lin DF (Lin D. F.); Wang XL (Wang X. L.); Xiao HL (Xiao H. L.); Wang CM (Wang C. M.); Qiang LJ (Qiang L. J.); Feng C (Feng C.); Chen H (Chen H.); Hou QF (Hou Q. F.); Deng QW (Deng Q. W.); Bi Y (Bi Y.); Kang H (Kang H.)
收藏  |  浏览/下载:22/0  |  提交时间:2012/02/21