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半导体研究所 [16]
采集方式
OAI收割 [16]
内容类型
期刊论文 [16]
发表日期
2017 [1]
2016 [5]
2015 [3]
2013 [1]
2012 [1]
2006 [5]
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学科主题
光电子学 [16]
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共16条,第1-10条
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学科主题:光电子学
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Evolution of differential efficiency in blue InGaN laser diodes before and after a lasing threshold
期刊论文
OAI收割
Applied Optics, 2017, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 2462-2466
作者:
X. LI
;
Z. S. LIU
;
D. G. ZHAO
;
D. S. JIANG
;
P. CHEN
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提交时间:2018/07/11
XPS study of impurities in Si-doped AlN film
期刊论文
OAI收割
surface and interface analysis, 2016, 卷号: 48, 期号: 12, 页码: 1305–1309
F. Liang
;
P. Chen
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
Z. J. Zhao
;
Z. S. Liu
;
J. J. Zhu
;
J. Yang
;
L. C. Le
;
W. Liu
;
X.G. He
;
X. J. Li
;
X Li
;
S. T Liu
;
H. Yang
;
J. P. Liu
;
L. Q. Zhang
;
Y. T. Zhang
;
G. T. Du
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提交时间:2017/03/10
The thickness design of unintentionally doped GaN interlayer matched with background doping level for InGaN-based laser diodes
期刊论文
OAI收割
aip advances, 2016, 卷号: 6, 页码: 035124
P. Chen
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
J. J. Zhu
;
Z. S. Liu
;
J. Yang
;
X. Li
;
L. C. Le
;
X. G. He
;
W. Liu
;
X. J. Li
;
F. Liang
;
B. S. Zhang
;
H. Yang
;
Y. T. Zhang
;
G. T. Du
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提交时间:2017/03/10
Photoelectron spectroscopy study of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD
期刊论文
OAI收割
applied physics a, 2016, 卷号: 122, 期号: 9
F. Liang
;
P. Chen
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
Z. J. Zhao
;
Z. S. Liu
;
J. J. Zhu
;
J. Yang
;
W. Liu
;
X. G. He
;
X. J. Li
;
X. Li
;
S. T. Liu
;
H. Yang
;
J. P. Liu
;
L. Q. Zhang
;
Y. T. Zhang
;
G. T. Du
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提交时间:2017/03/10
Effects of Si-doping on field emission characteristics of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD
期刊论文
OAI收割
materials technology, 2016
F. Liang
;
P. Chen
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
Z. S. Liu
;
J. J. Zhu
;
J. Yang
;
W. Liu
;
X. Li
;
S. T. Liu
;
H. Yang
;
L. Q. Zhang
;
J. P. Liu
;
Y. T. Zhang
;
G. T. Du
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提交时间:2017/03/10
Emission efficiency enhanced by reducing the concentration of residual carbon impurities in InGaN/GaN multiple quantum well light emitting diodes
期刊论文
OAI收割
optics express, 2016, 卷号: 24, 期号: 13, 页码: 13824-13831
J. Yang
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
P. Chen
;
Z. S. Liu
;
J. J. Zhu
;
X. J. Li
;
X. G. He
;
J. P. Liu
;
L. Q. Zhang
;
H. Yang
;
Y. T. Zhang
;
G. T. Du
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提交时间:2017/03/10
Optical and structural characteristics of high indium content InGaN/GaN multi-quantum wells with varying GaN cap layer thickness
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2015, 卷号: 117, 页码: 055709
J. Yang
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
P. Chen
;
J. J. Zhu
;
Z. S. Liu
;
L. C. Le
;
X. J. Li
;
X. G. He
;
J. P. Liu
;
H. Yang
;
Y. T. Zhang
;
G. T. Du
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提交时间:2016/03/23
Temperature dependence of photoluminescence spectra for green ligh emission from InGaN/GaN multiple wells
期刊论文
OAI收割
optics express, 2015, 卷号: 23, 期号: 12, 页码: 15935
W. Liu
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
P. Chen
;
Z. S. Liu
;
J. J. Zhu
;
M. Shi
;
D. M.Zhao
;
X. Li
;
J. P. Liu
;
S. M. Zhang
;
H. Wang
;
H. Yang
;
Y. T. Zhang
;
G. T.Du
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提交时间:2016/03/23
Tuning of Fano resonances in terahertz metamaterials
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, Journal of Applied physics, 2015, 2015, 卷号: 117, 117, 期号: 6, 页码: 788, 788
作者:
Y. P. Cao
;
Y. Y. Wang
;
Z. X. Geng
;
J. Liu
;
Y. P. Yang
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提交时间:2016/03/22
High efficient GaN-based laser diodes with tunnel junction
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, Applied Physics Letters, 2013, 2013, 卷号: 103, 103, 期号: 4, 页码: 043508, 043508
作者:
M. X. Feng, J. P. Liu, S. M. Zhang, D. S. Jiang, Z. C. Li, K. Zhou, D. Y. Li, L. Q. Zhang, F. Wang, H. Wang, P. Chen, Z. S. Liu, D. G. Zhao, Q. Sun, H. Yang
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提交时间:2014/04/09