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机构
西安光学精密机械研究... [4]
采集方式
OAI收割 [4]
内容类型
专利 [4]
发表日期
2015 [1]
2014 [1]
2013 [2]
学科主题
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浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
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内容类型:专利
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LED on silicon substrate using zinc-sulfide as buffer layer
专利
OAI收割
专利号: US9159869, 申请日期: 2015-10-13, 公开日期: 2015-10-13
作者:
CHEN, ZHEN
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提交时间:2019/12/24
LED having a low defect N-type layer that has grown on a silicon substrate
专利
OAI收割
专利号: US8865565, 申请日期: 2014-10-21, 公开日期: 2014-10-21
作者:
CHEN, ZHEN
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提交时间:2019/12/24
Buffer Layer for GaN-on-Si LED
专利
OAI收割
专利号: US20130056745A1, 申请日期: 2013-03-07, 公开日期: 2013-03-07
作者:
CHEN, ZHEN
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提交时间:2019/12/30
N-type gallium-nitride layer having multiple conductive intervening layers
专利
OAI收割
专利号: US20130032836A1, 申请日期: 2013-02-07, 公开日期: 2013-02-07
作者:
CHEN, ZHEN
;
FU, YI
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提交时间:2019/12/30