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机构
半导体研究所 [4]
采集方式
OAI收割 [4]
内容类型
期刊论文 [3]
会议论文 [1]
发表日期
2016 [1]
2011 [1]
2006 [2]
学科主题
半导体材料 [4]
筛选
浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
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限定条件
学科主题:半导体材料
条数/页:
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Fully integrated multi-optoelectronic synthesizer for THz pumping source in wireless communications with rich backup redundancy and wide tuning range
期刊论文
OAI收割
scientific reports, 2016, 卷号: 6, 页码: 29084
Junjie Xu
;
Lianping Hou
;
Qiufang Deng
;
Liangshun Han
;
Song Liang
;
John H. Marsh
;
Hongliang Zhu
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2017/03/10
Low temperature characteristics of AlGaN/GaN high electron mobility transistors
期刊论文
OAI收割
european physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 56, 期号: 1, 页码: 10101
Lin DF (Lin D. F.)
;
Wang XL (Wang X. L.)
;
Xiao HL (Xiao H. L.)
;
Wang CM (Wang C. M.)
;
Qiang LJ (Qiang L. J.)
;
Feng C (Feng C.)
;
Chen H (Chen H.)
;
Hou QF (Hou Q. F.)
;
Deng QW (Deng Q. W.)
;
Bi Y (Bi Y.)
;
Kang H (Kang H.)
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2012/02/21
Electron irradiation-induced defects in InP pre-annealed at high temperature
会议论文
OAI收割
11th conference on defects recognition imaging and physics in semiconductors, beijing, peoples r china, sep 13-19, 2005
Zhao, YW (Zhao, Y. W.)
;
Dong, ZY (Dong, Z. Y.)
;
Deng, AH (Deng, A. H.)
收藏
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浏览/下载:158/28
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提交时间:2010/03/29
indium phosphide
Electron irradiation-induced defects in InP pre-annealed at high temperature
期刊论文
OAI收割
materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 380-383
Zhao YW (Zhao Y. W.)
;
Dong ZY (Dong Z. Y.)
;
Deng AH (Deng A. H.)
收藏
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/04/11
indium phosphide
defect
irradiation
THERMALLY STIMULATED CURRENT
UNDOPED SEMIINSULATING INP
DEEP-LEVEL DEFECTS
FRENKEL PAIRS
FE
SPECTROSCOPY
PHOSPHIDE
AMBIENT
TRAPS