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  • 光电子学 [3]
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The effects of LT AlN buffer thickness on the properties of high Al composition AlGaN epilayers 期刊论文  OAI收割
materials letters, 2006, 卷号: 60, 期号: 29-30, 页码: 3693-3696
Wang XL (Wang X. L.); Zhao DG (Zhao D. G.); Li XY (Li X. Y.); Gong HM (Gong H. M.); Yang H (Yang H.); Liang JW (Liang J. W.)
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Effect of Al incorporation on the AlGaN growth by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割
applied surface science, 2006, 卷号: 253, 期号: 5, 页码: 2452-2455
Zhao, DG (Zhao, D. G.); Liu, ZS (Liu, Z. S.); Zhu, JJ (Zhu, J. J.); Zhang, SM (Zhang, S. M.); Jiang, DS (Jiang, D. S.); Yang, H (Yang, Hui); Liang, JW (Liang, J. W.); Li, XY (Li, X. Y.); Gong, HM (Gong, H. M.)
收藏  |  浏览/下载:29/0  |  提交时间:2010/03/29
Effect of lightly Si doping on the minority carrier diffusion length in n-type GaN films 期刊论文  OAI收割
applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 25, 页码: art.no.252101
Zhao DG (Zhao D. G.); Jiang DS (Jiang D. S.); Yang H (Yang Hui); Zhu JJ (Zhu J. J.); Liu ZS (Liu Z. S.); Zhang SM (Zhang S. M.); Liang JW (Liang J. W.); Hao XP (Hao X. P.); Wei L (Wei L.); Li X (Li X.); Li XY (Li X. Y.); Gong HM (Gong H. M.)
收藏  |  浏览/下载:57/0  |  提交时间:2010/04/11