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机构
半导体研究所 [3]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2006 [3]
学科主题
光电子学 [3]
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浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
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限定条件
学科主题:光电子学
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The effects of LT AlN buffer thickness on the properties of high Al composition AlGaN epilayers
期刊论文
OAI收割
materials letters, 2006, 卷号: 60, 期号: 29-30, 页码: 3693-3696
Wang XL (Wang X. L.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Li XY (Li X. Y.)
;
Gong HM (Gong H. M.)
;
Yang H (Yang H.)
;
Liang JW (Liang J. W.)
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提交时间:2010/04/11
AlGaN
LT AlN
TAXRD
dislocation
Effect of Al incorporation on the AlGaN growth by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
OAI收割
applied surface science, 2006, 卷号: 253, 期号: 5, 页码: 2452-2455
Zhao, DG (Zhao, D. G.)
;
Liu, ZS (Liu, Z. S.)
;
Zhu, JJ (Zhu, J. J.)
;
Zhang, SM (Zhang, S. M.)
;
Jiang, DS (Jiang, D. S.)
;
Yang, H (Yang, Hui)
;
Liang, JW (Liang, J. W.)
;
Li, XY (Li, X. Y.)
;
Gong, HM (Gong, H. M.)
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2010/03/29
Al incorporation
Effect of lightly Si doping on the minority carrier diffusion length in n-type GaN films
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 25, 页码: art.no.252101
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Yang H (Yang Hui)
;
Zhu JJ (Zhu J. J.)
;
Liu ZS (Liu Z. S.)
;
Zhang SM (Zhang S. M.)
;
Liang JW (Liang J. W.)
;
Hao XP (Hao X. P.)
;
Wei L (Wei L.)
;
Li X (Li X.)
;
Li XY (Li X. Y.)
;
Gong HM (Gong H. M.)
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提交时间:2010/04/11
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