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机构
半导体研究所 [2]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
会议论文 [1]
期刊论文 [1]
发表日期
2006 [2]
学科主题
半导体材料 [2]
筛选
浏览/检索结果:
共2条,第1-2条
帮助
限定条件
学科主题:半导体材料
条数/页:
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Morphological defects and uniformity issues of 4H-SiC homoepitaxial layers grown on off-oriented (0001)Si faces
期刊论文
OAI收割
materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 275-278
Sun GS (Sun G. S.)
;
Liu XF (Liu X. F.)
;
Gong QC (Gong Q. C.)
;
Wang L (Wang L.)
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Zhao WS (Zhao W. S.)
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Li JY (Li J. Y.)
;
Zeng YP (Zeng Y. P.)
;
Li JM (Li J. M.)
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提交时间:2010/04/11
4H-SiC
homoepitaxial layers
surface morphological defect
optical microscopy
SILICON-CARBIDE
DISLOCATIONS
FILMS
Morphological defects and uniformity issues of 4H-SiC homoepitaxial layers grown on off-oriented (0001)Si faces
会议论文
OAI收割
11th conference on defects recognition imaging and physics in semiconductors, beijing, peoples r china, sep 13-19, 2005
Sun, GS (Sun, G. S.)
;
Liu, XF (Liu, X. F.)
;
Gong, QC (Gong, Q. C.)
;
Wang, L (Wang, L.)
;
Zhao, WS (Zhao, W. S.)
;
Li, JY (Li, J. Y.)
;
Zeng, YP (Zeng, Y. P.)
;
Li, JM (Li, J. M.)
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提交时间:2010/03/29
4H-SiC