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长春光学精密机械与物... [3]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2009 [3]
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共3条,第1-3条
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发表日期:2009
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Mobility enhancement of 2DEG in MOVPE-grown AlGaN/AlN/GaN HEMT structure using vicinal (0001) sapphire
期刊论文
OAI收割
Superlattices and Microstructures, 2009, 卷号: 46, 期号: 6, 页码: 812-816
Hu W. G.
;
Ma B.
;
Li D. B.
;
Narukawa M.
;
Miyake H.
;
Hiramatsu K.
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提交时间:2012/10/21
Photoluminescence study of Si-doped a-plane GaN grown by MOVPE
期刊论文
OAI收割
Journal of Crystal Growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 10, 页码: 2906-2909
Li D. B.
;
Ma B.
;
Miyagawa R.
;
Hu W. G.
;
Narukawa M.
;
Miyake H.
;
Hiramatsu K.
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提交时间:2012/10/21
In-plane electric field induced by polarization and lateral photovoltaic effect in a-plane GaN
期刊论文
OAI收割
Applied Physics Letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 23
Hu W. G.
;
Ma B.
;
Li D. B.
;
Miyake H.
;
Hiramatsu K.
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提交时间:2012/10/21