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  • 2009 [3]
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Mobility enhancement of 2DEG in MOVPE-grown AlGaN/AlN/GaN HEMT structure using vicinal (0001) sapphire 期刊论文  OAI收割
Superlattices and Microstructures, 2009, 卷号: 46, 期号: 6, 页码: 812-816
Hu W. G.; Ma B.; Li D. B.; Narukawa M.; Miyake H.; Hiramatsu K.
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Photoluminescence study of Si-doped a-plane GaN grown by MOVPE 期刊论文  OAI收割
Journal of Crystal Growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 10, 页码: 2906-2909
Li D. B.; Ma B.; Miyagawa R.; Hu W. G.; Narukawa M.; Miyake H.; Hiramatsu K.
收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2012/10/21
In-plane electric field induced by polarization and lateral photovoltaic effect in a-plane GaN 期刊论文  OAI收割
Applied Physics Letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 23
Hu W. G.; Ma B.; Li D. B.; Miyake H.; Hiramatsu K.
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