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半导体研究所 [32]
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期刊论文 [32]
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专题:半导体研究所
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XPS study of impurities in Si-doped AlN film
期刊论文
OAI收割
surface and interface analysis, 2016, 卷号: 48, 期号: 12, 页码: 1305–1309
F. Liang
;
P. Chen
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
Z. J. Zhao
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Z. S. Liu
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J. J. Zhu
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J. Yang
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L. C. Le
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W. Liu
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X.G. He
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X. J. Li
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X Li
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S. T Liu
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H. Yang
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J. P. Liu
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L. Q. Zhang
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Y. T. Zhang
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G. T. Du
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提交时间:2017/03/10
The thickness design of unintentionally doped GaN interlayer matched with background doping level for InGaN-based laser diodes
期刊论文
OAI收割
aip advances, 2016, 卷号: 6, 页码: 035124
P. Chen
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
J. J. Zhu
;
Z. S. Liu
;
J. Yang
;
X. Li
;
L. C. Le
;
X. G. He
;
W. Liu
;
X. J. Li
;
F. Liang
;
B. S. Zhang
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H. Yang
;
Y. T. Zhang
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G. T. Du
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提交时间:2017/03/10
Observation of negative differential resistance in GaN-based multiple-quantum-well light-emitting diodes
期刊论文
OAI收割
journal of vacuum science & technology b, 2016, 卷号: 34, 期号: 1, 页码: 011206
J. Yang
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
P. Chen
;
J. J. Zhu
;
Z. S. Liu
;
L. C. Le
;
X. J. Li
;
X. G. He
;
J. P. Liu
;
L. Q. Zhang
;
H. Yang
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提交时间:2017/03/10
Coupling and single-photon purity of a quantum dot-cavity system studied using hydrostatic pressure
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2015, 卷号: 117, 期号: 1, 页码: 014304
P. Y. Zhou
;
X. F. Wu
;
K. Ding
;
X. M. Dou
;
G. W. Zha
;
H. Q. Ni
;
Z. C. Niu
;
H. J. Zhu
;
D. S. Jiang
;
C. L. Zhao
;
B. Q. Sun
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提交时间:2016/03/29
Optical and structural characteristics of high indium content InGaN/GaN multi-quantum wells with varying GaN cap layer thickness
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2015, 卷号: 117, 页码: 055709
J. Yang
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
P. Chen
;
J. J. Zhu
;
Z. S. Liu
;
L. C. Le
;
X. J. Li
;
X. G. He
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J. P. Liu
;
H. Yang
;
Y. T. Zhang
;
G. T. Du
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提交时间:2016/03/23
Differential resistance of GaN-based laser diodes with and without polarization effect
期刊论文
OAI收割
applied optics, 2015, 卷号: 54, 期号: 29, 页码: 8706-8711
X. LI
;
Z. S. LIU
;
D. G. ZHAO
;
D. S. JIANG
;
P. CHEN
;
J. J. ZHU
;
J. YANG
;
L. C. LE
;
W. LIU
;
X. G. HE
;
X. J. LI
;
F. LIANG
;
L. Q. ZHANG
;
J. Q. LIU
;
H. YANG
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提交时间:2016/03/23
The significant effect of the thickness of Ni film on the performance of the Ni/Au Ohmic contact to p-GaN
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 2014, 卷号: 116, 116, 期号: 16, 页码: 163708, 163708
作者:
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提交时间:2015/03/19
In-plane optical anisotropy induced by asymmetrically δ-doping in (001) GaAs/AlGaAs quantum wells studied by reflectance difference spectroscopy
期刊论文
OAI收割
Journal of Applied Physics, 2013, 卷号: 113, 期号: 8, 页码: 083504- 083504-5
J. L. Yu, Y. H. Chen, X. Bo, C. Y. Jiang, X. L. Ye, S. J. Wu, H. S. Gao
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提交时间:2014/02/12
Photoluminescence properties of porous InP filled with ferroelectric polymers
期刊论文
OAI收割
applied physics a-materials science & processing, 2013, 卷号: 111, 期号: 3, 页码: 695-699
Jia, C. H.
;
Chen, Y. H.
;
Jiang, Y. C.
;
Liu, F. Q.
;
Qu, S. C.
;
Zhang, W. F.
;
Wang, Z. G.
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提交时间:2013/08/27
Intrinsic photoinduced anomalous Hall effect in insulating GaAs_AlGaAs quantum wells at room temperature
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2013, 卷号: 102, 期号: 20, 页码: 202408 - 202408-5
J. L. Yu, Y. H. Chen, Y. Liu, C. Y. Jiang, H. Ma, L. P. Zhu, X. D. Qin
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提交时间:2014/03/18