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机构
西安光学精密机械研... [15]
采集方式
OAI收割 [15]
内容类型
专利 [15]
发表日期
2010 [1]
2008 [1]
2007 [1]
2006 [6]
2005 [2]
2004 [2]
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共15条,第1-10条
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内容类型:专利
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Metal-assisted DBRs for thermal management in VCSELs
专利
OAI收割
专利号: US7860143, 申请日期: 2010-12-28, 公开日期: 2010-12-28
作者:
KIM, JIN K.
;
WANG, TZU-YU
;
PARK, GYOUNGWON
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提交时间:2019/12/24
InP based long wavelength VCSEL
专利
OAI收割
专利号: US7433381, 申请日期: 2008-10-07, 公开日期: 2008-10-07
作者:
WANG, TZU-YU
;
KWON, HOKI
;
RYOU, JAE-HYUN
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提交时间:2019/12/24
Carrier bonded 1550 nm VCSEL with InP substrate removal
专利
OAI收割
专利号: US7286584, 申请日期: 2007-10-23, 公开日期: 2007-10-23
作者:
WANG, TZU-YU
;
KIM, JIN K.
;
KWON, HOKI
;
PARK, GYOUNGWON
;
RYOU, JAE-HYUN
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提交时间:2019/12/26
Modulation doped tunnel junction
专利
OAI收割
专利号: US7099362, 申请日期: 2006-08-29, 公开日期: 2006-08-29
作者:
KIM, JIN K.
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提交时间:2019/12/26
Tunnel junction utilizing GaPSb, AlGaPSb
专利
OAI收割
专利号: US7085298, 申请日期: 2006-08-01, 公开日期: 2006-08-01
作者:
KIM, JIN K.
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提交时间:2019/12/26
Tunnel junction utilizing GaPSb, AlGaPSb
专利
OAI收割
专利号: US7085298, 申请日期: 2006-08-01, 公开日期: 2006-08-01
作者:
KIM, JIN K.
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提交时间:2019/12/26
Mode selective semiconductor mirror for vertical cavity surface emitting lasers
专利
OAI收割
专利号: US20060045146A1, 申请日期: 2006-03-02, 公开日期: 2006-03-02
作者:
COX, JAMES A.
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提交时间:2019/12/31
Long wavelength vertical cavity surface emitting lasers
专利
OAI收割
专利号: US6987791, 申请日期: 2006-01-17, 公开日期: 2006-01-17
作者:
KIM, JIN K.
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提交时间:2019/12/26
Long wavelength vertical cavity surface emitting lasers
专利
OAI收割
专利号: US20060002444A1, 申请日期: 2006-01-05, 公开日期: 2006-01-05
作者:
WANG, TZU-YU
;
KIM, JIN K.
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提交时间:2020/01/18
Digital alloy oxidation layers
专利
OAI收割
专利号: US20050243889A1, 申请日期: 2005-11-03, 公开日期: 2005-11-03
作者:
KIM, JIN K.
;
RYON, JAE-HYUN
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提交时间:2020/01/18