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半导体研究所 [17]
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OAI收割 [17]
内容类型
期刊论文 [17]
发表日期
2017 [3]
2015 [1]
2014 [1]
2013 [3]
2012 [4]
2006 [5]
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学科主题
光电子学 [17]
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共17条,第1-10条
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学科主题:光电子学
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Performance of InGaN based green laser diodes improved by using an asymmetric InGaN/InGaN multi-quantum well active region
期刊论文
OAI收割
OPTICS EXPRESS, 2017, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 9595-9602
作者:
J. YANG
;
D. G. ZHAO
;
D. S. JIANG
;
X. LI
;
F. LIANG
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2018/11/30
Evolution of differential efficiency in blue InGaN laser diodes before and after a lasing threshold
期刊论文
OAI收割
Applied Optics, 2017, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 2462-2466
作者:
X. LI
;
Z. S. LIU
;
D. G. ZHAO
;
D. S. JIANG
;
P. CHEN
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提交时间:2018/07/11
Electroluminescence property improvement by adjusting quantum wells’ position relative to p-doped region in InGaN/GaN multiple-quantum-well light emitting diodes
期刊论文
OAI收割
AIP Advances, 2017, 卷号: 7, 页码: 035103
作者:
P. Chen
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
H. Long
;
M. Li
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提交时间:2018/07/11
Temperature dependence of photoluminescence spectra for green ligh emission from InGaN/GaN multiple wells
期刊论文
OAI收割
optics express, 2015, 卷号: 23, 期号: 12, 页码: 15935
W. Liu
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
P. Chen
;
Z. S. Liu
;
J. J. Zhu
;
M. Shi
;
D. M.Zhao
;
X. Li
;
J. P. Liu
;
S. M. Zhang
;
H. Wang
;
H. Yang
;
Y. T. Zhang
;
G. T.Du
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提交时间:2016/03/23
The significant effect of the thickness of Ni film on the performance of the Ni/Au Ohmic contact to p-GaN
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 2014, 卷号: 116, 116, 期号: 16, 页码: 163708, 163708
作者:
Li, X. J.
;
Zhao, D. G.
;
Jiang, D. S.
;
Liu, Z. S.
;
Chen, P.
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提交时间:2015/03/19
Effects of matrix layer composition on the structural and optical properties of self-organized InGaN quantum dots
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2013, 卷号: 114, 期号: 9, 页码: 093105
Z. C. Li, J. P. Liu, M. X. Feng, K. Zhou, S. M. Zhang, H. Wang, D. Y. Li, L. Q. Zhang, Q. Sun, D. S. Jiang, H. B.Wang, and H. Yang
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提交时间:2014/04/30
Effect of V-defects on the performance deterioration of InGaN_GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes with varying barrier layer thickness
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, Journal of Applied Physics, 2013, 2013, 卷号: 114, 114, 期号: 14, 页码: 143706, 143706
作者:
Le, L. C.
;
Zhao, D. G.
;
Jiang, D. S.
;
Li, L.
;
Wu, L. L.
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提交时间:2014/04/09
High efficient GaN-based laser diodes with tunnel junction
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, Applied Physics Letters, 2013, 2013, 卷号: 103, 103, 期号: 4, 页码: 043508, 043508
作者:
M. X. Feng, J. P. Liu, S. M. Zhang, D. S. Jiang, Z. C. Li, K. Zhou, D. Y. Li, L. Q. Zhang, F. Wang, H. Wang, P. Chen, Z. S. Liu, D. G. Zhao, Q. Sun, H. Yang
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提交时间:2014/04/09
Effect of light Si-doping on the near-band-edge emissions in high quality GaN
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2012, 卷号: 112, 期号: 5, 页码: 053104
Le LC (Le, L. C.)
;
Zhao DG (Zhao, D. G.)
;
Jiang DS (Jiang, D. S.)
;
Wu LL (Wu, L. L.)
;
Li L (Li, L.)
;
Chen P (Chen, P.)
;
Liu ZS (Liu, Z. S.)
;
Zhu JJ (Zhu, J. J.)
;
Wang H (Wang, H.)
;
Zhang SM (Zhang, S. M.)
;
Yang H (Yang, H.)
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提交时间:2013/04/02
Effect of In incorporation parameters on the electroluminescence of blue-violet InGaN/GaN multiple quantum wells grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
OAI收割
journal of alloys and compounds, 2012, 卷号: 540, 页码: 46-48
Zhao DG (Zhao, D. G.)
;
Jiang DS (Jiang, D. S.)
;
Le LC (Le, L. C.)
;
Wu LL (Wu, L. L.)
;
Li L (Li, L.)
;
Zhu JJ (Zhu, J. J.)
;
Wang H (Wang, H.)
;
Liu ZS (Liu, Z. S.)
;
Zhang SM (Zhang, S. M.)
;
Jia QJ (Jia, Q. J.)
;
Yang H (Yang, Hui)
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提交时间:2013/03/27