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Realization low resistivity of high AlN mole fraction Si-doped AlGaN by suppressing the formation native vacancies 期刊论文  OAI收割
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2021, 卷号: 570, 页码: 126245
作者:  Yang, J.;   Zhang, Y. H.;   Zhao, D. G.;   Chen, P.;   Liu, Z. S.;   Liang, F.
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2022/05/19
Realization of 366 nm GaN/AlGaN single quantum well ultraviolet laser diodes with a reduction of carrier loss in the waveguide layers 期刊论文  OAI收割
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2021, 卷号: 130, 期号: 17, 页码: 173105
作者:  Yang, J.;   Wang, B. B.;   Zhao, D. G.;   Liu, Z. S.;   Liang, F.;   Chen, P.;   Zhang, Y. H.;   Zhang, Z. Z.
  |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2022/03/24
Suppression the formation of V-pits in InGaN/ GaN multi-quantum well growth and its effect on the performance of GaN based laser diodes 期刊论文  OAI收割
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2020, 卷号: 822, 页码: 153571
作者:  J. Yang ;  D.G. Zhao;   D.S. Jiang ;   P. Chen ;   J.J. Zhu ;   Z.S. Liu ;   F. Liang;   S.T. Liu;   Y. Xing
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2021/06/17
The influence of thermal annealing process after GaN cap layer growth on structural and optical properties of InGaN/InGaN multi-quantum wells 期刊论文  OAI收割
Optical Materials, 2018, 卷号: 86, 页码: 460-463
作者:  S.T. Liu ;   J. Yang ;   D.G. Zhao ;   D.S. Jiang ;   F. Liang ;   P. Chen ;   J.J. Zhu ;   Z.S. Liu ;   W. Liu ;   Y. Xing ;   L.Y. Peng ;   L.Q. Zhang ;   W.J. Wang ;   M. Li ;   Y.T. Zhang ;   G.T. Du
  |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/11/19
Mg concentration profile and its control in the low temperature grown Mg-doped GaN epilayer 期刊论文  OAI收割
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018, 卷号: 113, 页码: 690-695
作者:  S.T. Liu ;   J. Yang ;   D.G. Zhao ;   D.S. Jiang ;   F. Liang ;   P. Chen ;   J.J. Zhu ;   Z.S. Liu ;   W. Liu ;   Y. Xing ;   L.Q. Zhang ;   W.J. Wang ;   M. Li ;   Y.T. Zhang ;   G.T. Du
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/11/19
Bias Dependence of the Electrical Spin Injection into GaAs from Co-Fe-B=MgO Injectors with Different MgO Growth Processes 期刊论文  OAI收割
PHYSICAL REVIEW APPLIED, 2017, 卷号: 8, 页码: 054027
作者:  P. Barate;  S. H. Liang;  T. T. Zhang;  J. Frougier;  B. Xu
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2018/05/30
Evolution of differential efficiency in blue InGaN laser diodes before and after a lasing threshold 期刊论文  OAI收割
Applied Optics, 2017, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 2462-2466
作者:  X. LI;  Z. S. LIU;  D. G. ZHAO;  D. S. JIANG;  P. CHEN
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2018/07/11
XPS study of impurities in Si-doped AlN film 期刊论文  OAI收割
surface and interface analysis, 2016, 卷号: 48, 期号: 12, 页码: 1305–1309
F. Liang; P. Chen; D. G. Zhao; D. S. Jiang; Z. J. Zhao; Z. S. Liu; J. J. Zhu; J. Yang; L. C. Le; W. Liu; X.G. He; X. J. Li; X Li; S. T Liu; H. Yang; J. P. Liu; L. Q. Zhang; Y. T. Zhang; G. T. Du
收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2017/03/10
The thickness design of unintentionally doped GaN interlayer matched with background doping level for InGaN-based laser diodes 期刊论文  OAI收割
aip advances, 2016, 卷号: 6, 页码: 035124
P. Chen; D. G. Zhao; D. S. Jiang; J. J. Zhu; Z. S. Liu; J. Yang; X. Li; L. C. Le; X. G. He; W. Liu; X. J. Li; F. Liang; B. S. Zhang; H. Yang; Y. T. Zhang; G. T. Du
收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2017/03/10
Photoelectron spectroscopy study of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD 期刊论文  OAI收割
applied physics a, 2016, 卷号: 122, 期号: 9
F. Liang; P. Chen; D. G. Zhao; D. S. Jiang; Z. J. Zhao; Z. S. Liu; J. J. Zhu; J. Yang; W. Liu; X. G. He; X. J. Li; X. Li; S. T. Liu; H. Yang; J. P. Liu; L. Q. Zhang; Y. T. Zhang; G. T. Du
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2017/03/10