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浏览/检索结果: 共75条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Realization low resistivity of high AlN mole fraction Si-doped AlGaN by suppressing the formation native vacancies 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2021, 卷号: 570, 页码: 126245 作者:  Yang, J.;   Zhang, Y. H.;   Zhao, D. G.;   Chen, P.;   Liu, Z. S.;   Liang, F.   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2022/05/19 Realization of 366 nm GaN/AlGaN single quantum well ultraviolet laser diodes with a reduction of carrier loss in the waveguide layers 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2021, 卷号: 130, 期号: 17, 页码: 173105 作者:  Yang, J.;   Wang, B. B.;   Zhao, D. G.;   Liu, Z. S.;   Liang, F.;   Chen, P.;   Zhang, Y. H.;   Zhang, Z. Z.   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2022/03/24 Robust emergence of a topological Hall effect in MnGa/heavy metal bilayers 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW B, 2018, 卷号: 97, 期号: 6, 页码: 060407 作者:  K. K. Meng;   X. P. Zhao;   P. F. Liu;   Q. Liu;   Y. Wu;   Z. P. Li;   J. K. Chen;   J. Miao;   X. G. Xu;   J. H. Zhao;   Y. Jiang   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/11/12 Valley Zeeman splitting of monolayer MoS 2 probed by low-field magnetic circular dichroism spectroscopy at room temperature 期刊论文  OAI收割 Applied Physics Letters, 2018, 卷号: 112, 期号: 15, 页码: 153105 作者:  Y. J. Wu;   C. Shen;   Q. H. Tan;   J. Shi;   X. F. Liu;   Z. H. Wu;   J. Zhang;   P. H. Tan;   H. Z. Zheng   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/11/18 Enhancement of the emission efficiency of InGaN films by suppressing the incorporation of unintentional gallium atoms 期刊论文  OAI收割 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018, 卷号: 113, 页码: 34-40 作者:  J. Yang ;   S.T. Liu ;   X.W. Wang ;   D.G. Zhao ;   D.S. Jiang ;   P. Chen ;   J.J. Zhu ;   Z.S. Liu ;   F. Liang ;   W. Liu ;   L.Q. Zhang ;   H. Yang ;   W.J. Wang ;   M. Li   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/11/19 Investigation on the corrosive effect of NH3 during InGaN/GaN multi-quantum well growth in light emitting diodes 期刊论文  OAI收割 Scientific Reports, 2017, 卷号: 7, 页码: 44850 作者:  J. Yang;  D. G. Zhao;  D. S. Jiang;  P. Chen;  J. J. Zhu   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2018/11/30 Increasing the indium incorporation efficiency during InGaN layer growth by suppressing the dissociation of NH3 期刊论文  OAI收割 Superlattices and Microstructures, 2017, 卷号: 102, 期号: 2017, 页码: 35-39 作者:  J. Yang;  D.G. Zhao;  D.S. Jiang;  P. Chen;  J.J. Zhu   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2018/11/30 Different annealing temperature suitable for different Mg doped P-GaN 期刊论文  OAI收割 Superlattices and Microstructures, 2017, 卷号: 104, 期号: 2017, 页码: 63-68 作者:  S.T. Liu;  J. Yang;  D.G. Zhao;  D.S. Jiang;  F. Liang 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2018/07/11 Electroluminescence property improvement by adjusting quantum wells’ position relative to p-doped region in InGaN/GaN multiple-quantum-well light emitting diodes 期刊论文  OAI收割 AIP Advances, 2017, 卷号: 7, 页码: 035103 作者:  P. Chen;  D. G. Zhao;  D. S. Jiang;  H. Long;  M. Li 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2018/07/11 XPS study of impurities in Si-doped AlN film 期刊论文  OAI收割 surface and interface analysis, 2016, 卷号: 48, 期号: 12, 页码: 1305–1309 F. Liang; P. Chen; D. G. Zhao; D. S. Jiang; Z. J. Zhao; Z. S. Liu; J. J. Zhu; J. Yang; L. C. Le; W. Liu; X.G. He; X. J. Li; X Li; S. T Liu; H. Yang; J. P. Liu; L. Q. Zhang; Y. T. Zhang; G. T. Du 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2017/03/10