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Gallium and nitrogen containing laser diode dazzling devices and methods of use 专利  OAI收割
专利号: US10205300, 申请日期: 2019-02-12, 公开日期: 2019-02-12
作者:  
RARING, JAMES W.;  RUDY, PAUL;  KHOSLA, VINOD;  LAMOND, PIERRE;  DENBAARS, STEVEN P.
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Contact architectures for tunnel junction devices 专利  OAI收割
专利号: WO2018035322A1, 申请日期: 2018-02-22, 公开日期: 2018-02-22
作者:  
YONKEE, BENJAMIN P.;  YOUNG, ERIN C.;  FORMAN, CHARLES;  LEONARD, JOHN T.;  LEE, SEUNGGEUN
  |  收藏  |  浏览/下载:28/0  |  提交时间:2019/12/30
Growth of planar, non-polar a-plane gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy 专利  OAI收割
专利号: US20060008941A1, 公开日期: 2006-01-12
作者:  
HASKELL, BENJAMIN A.;  FINI, PAUL T.;  MATSUDA, SHIGEMASA;  CRAVEN, MICHAEL D.;  DENBAARS, STEVEN P.
  |  收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2019/12/26
Growth of reduced dislocation density non-polar gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy 专利  OAI收割
专利号: WO2004061909A1, 公开日期: 2004-07-22
作者:  
HASKELL, BENJAMIN, A.;  CRAVEN, MICHAEL, D.;  FINI, PAUL, T.;  DENBAARS, STEVEN, P.;  SPECK, JAMES, S.
  |  收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2019/12/26