机构

• 力学研究所 [15]

采集方式

• OAI收割 [15]

内容类型

• 期刊论文 [12]
• 会议论文 [3]

发表日期

• 2011 [2]
• 2007 [2]
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• 2004 [3]
• 2003 [2]
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学科主题

• 力学 [11]
• Chemistry [1]
• Crystallog... [1]

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浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：力学研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Numerical simulation of ammonothermal growth processes of GaN crystals 期刊论文  OAI收割 Journal of Crystal Growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 411-414 作者:  Jiang YN(姜燕妮);  Chen QS(陈启生);  Prasad V 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/04/01 Convection  Fluid Flow  Growth Models  Ammonothermal Growth  Gan  Single-Crystals  Gallium Nitride  Heat-Transfer  Fluid-Flow   Modeling of ammonothermal growth processes of GaN crystal in large-size pressure systems 期刊论文  OAI收割 Research on Chemical Intermediates, 2011, 卷号: 37, 期号: 2-5, 页码: 467-477 作者:  Chen QS(陈启生);  Jiang YN(姜燕妮);  Yan JY(颜君毅);  Li W(李炜);  Prasad V 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/04/01 Gan  Ammonothermal Growth  Baffle Opening  Fluid Flow  Thermal Fields  Gallium Nitride   Numerical Study on Flow Field and Temperature Distribution in Growth Process of 200 mm Czochralski Silicon Crystals 期刊论文  OAI收割 Journal of Rare Earths, 2007, 卷号: 25, 页码: 345-348 作者:  Chen QS(陈启生);  Deng GY(邓谷雨);  Ebadian A;  Prasad V 收藏  |  浏览/下载：921/72  |  提交时间：2009/08/03 Czochralski Growth  Flow Field  Temperature Distributions  Cusp Magnetic Field   Application of Flow-Kinetics Model To the Pvt Growth of Sic Crystals 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2007, 卷号: 303, 期号: 1, 页码: 357-361 作者:  Chen QS(陈启生);  Yan JY(颜君毅);  Prasad V 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2016/01/11 fluid flows  growth models  growth from vapor  single-crystal growth  semiconducting silicon compounds   Thermoelastic Stresses in SiC Single Crystals Grown by the Physical Vapor Transport Method 期刊论文  OAI收割 Acta Mechanica Sinica, 2006, 卷号: 22, 期号: 1, 页码: 40-45 作者:  Zhang ZB(张自兵);  Lu J;  Chen QS(陈启生);  Prasad V 收藏  |  浏览/下载：1152/93  |  提交时间：2007/06/15 Modeling Ammonothermal Growth of GaN Single Crystals: The Role of Transport 期刊论文  OAI收割 Journal of Crystal Growth, 2006, 卷号: 296, 期号: 0, 页码: 150-158 作者:  Pendurti S;  Chen QS(陈启生);  Prasad V 收藏  |  浏览/下载：636/41  |  提交时间：2007/06/15 Growth of Silicon Carbide Bulk Crystals by Physical Vapor Transport Method and Modeling Efforts in the Process Optimization 期刊论文  OAI收割 Journal of Crystal Growth, 2006, 卷号: 292, 期号: 2, 页码: 197-200 作者:  Chen QS(陈启生);  Lu J;  Zhang ZB(张自兵);  Wei GD;  Prasad V 收藏  |  浏览/下载：1261/78  |  提交时间：2007/06/15 growth models  X-ray diffraction  growth from vapor  single crystal growth  silicon carbide   Growth of Silicon Carbide Bulk Crystals by Physical Vapor Transport Method and Modeling Efforts in the Process Optimization 会议论文  OAI收割 3rd Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-3), OCT 16-19, 2005, Beijing, PEOPLES R CHINA 作者:  Chen QS(陈启生);  Lu J;  Zhang ZB(张自兵);  Wei GD;  Prasad V 收藏  |  浏览/下载：955/23  |  提交时间：2007/12/18 Modeling of ammonothermal growth of gallium nitride single crystals 期刊论文  OAI收割 Journal of Materials Science, 2005 作者:  Chen QS(陈启生);  Pendurti S;  Prasad V 收藏  |  浏览/下载：2220/288  |  提交时间：2007/06/15 Modeling of Ammonothermal Growth of Gallium Nitride Single Crystals 会议论文  OAI收割 6th International Conference on Solvothermal Reactions, AUG 24-27, 2004 Mysore, INDIA 作者:  Chen QS(陈启生);  Pendurti S;  Prasad V 收藏  |  浏览/下载：1341/51  |  提交时间：2007/12/18