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半导体研究所 [28]
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OAI收割 [28]
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期刊论文 [27]
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学科主题
光电子学 [28]
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学科主题:光电子学
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Correlation between the structural and cathodoluminescence properties in InGaN/GaN multiple quantum wells with large number of quantum wells
期刊论文
OAI收割
journal of vacuum science & technology a, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A, 2014, 2014, 卷号: 32, 32, 期号: 5, 页码: 051503, 051503
作者:
Yang, J
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Jahn, U
;
Chen, P
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提交时间:2015/03/25
Influences of polarization effect and p-region doping concentration on the photocurrent response of solar-blind p-i-n avalanche photodiodes
期刊论文
OAI收割
chinese physics b, CHINESE PHYSICS B, 2014, 2014, 卷号: 23, 23, 期号: 2, 页码: 028503, 028503
作者:
Li, XJ
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Liu, ZS
;
Chen, P
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提交时间:2015/03/20
Performance comparison of front- and back-illuminated modes of the AlGaN-based p-i-n solar-blind ultraviolet photodetectors
期刊论文
OAI收割
journal of vacuum science & technology b, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2014, 2014, 卷号: 32, 32, 期号: 3, 页码: 031204, 031204
作者:
Li, XJ
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Liu, ZS
;
Chen, P
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提交时间:2015/04/02
Investigation on the compensation effect of residual carbon impurities in low temperature grown Mg doped GaN films
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 2014, 卷号: 115, 115, 期号: 16, 页码: 163704, 163704
作者:
Yang, J
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Zhu, JJ
;
Yang, H
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2015/04/02
Effects of polarization and p-type GaN resistivity on the spectral response of InGaN/GaN multiple quantum well solar cells
期刊论文
OAI收割
chinese physics b, CHINESE PHYSICS B, 2014, 2014, 卷号: 23, 23, 期号: 6, 页码: 068801, 068801
作者:
Yang, J
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Liu, ZS
;
Chen, P
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提交时间:2015/04/02
Control of residual carbon concentration in GaN high electron mobility transistor and realization of high-resistance GaN grown by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
OAI收割
thin solid films, THIN SOLID FILMS, 2014, 2014, 卷号: 564, 564, 页码: 135-139, 135-139
作者:
He, XG
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Liu, ZS
;
Chen, P
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提交时间:2015/03/25
The Effects of a Low-Temperature GaN Interlayer on the Performance of InGaN/GaN Solar Cells
期刊论文
OAI收割
chinese physics letters, 2013, 卷号: 30, 期号: 2, 页码: 028801
Li Liang
;
Zhao De-Gang
;
Jiang De-Sheng
;
Liu Zong-Shun
;
Chen Ping
;
Wu Liang-Liang
;
Le Ling-Cong
;
Wang Hui
;
Yang Hui
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提交时间:2013/09/22
The effects of InGaN layer thickness on the performance of InGaN/GaN p - I - N solar cells
期刊论文
OAI收割
chinese physics b, 2013, 卷号: 22, 期号: 6, 页码: 068802
Li Liang, Zhao De-Gang, Jiang De-Sheng, Liu Zong-Shun, Chen Ping, Wu Liang-Liang, Le Ling-Cong, Wang Hui, Yang Hui
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提交时间:2014/05/08
Dependence of InGaN solar cell performance on polarization-induced electric field and carrier lifetime
期刊论文
OAI收割
chinese physics b, Chinese Physics B, 2013, 2013, 卷号: 22, 22, 期号: 9, 页码: 098801, 098801
作者:
Yang Jing, Zhao De-Gang, Jiang De-Sheng, Liu Zong-Shun, Chen Ping, Li Liang, Wu Liang-Liang, Le Ling-Cong, Li Xiao-Jing, He Xiao-Guang, Wang Hui, Zhu Jian-Jun, Zhang Shu-Ming, Zhang Bao-Shun, Yang Huia
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提交时间:2014/04/09
Effects of thin heavily Mg-doped GaN capping layer on ohmic contact formation of p-type GaN
期刊论文
OAI收割
semiconductor science and technology, Semiconductor Science and Technology, 2013, 2013, 卷号: 28, 28, 期号: 10, 页码: 105020, 105020
作者:
L L Wu, D G Zhao, D S Jiang, P Chen, L C Le, L Li, Z S Liu, S M Zhang, J J Zhu, H Wang, B S Zhang, H Yang
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提交时间:2014/04/09