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• 新疆理化技术研究所 [3]

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• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2018 [1]
• 2015 [2]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：新疆理化技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Investigation of enhanced low dose rate sensitivity in SiGe HBTs by Co-60 gamma irradiation under different biases 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2018, 卷号: 84, 期号: 5, 页码: 105-111 作者:  Zhang, JX (Zhang, Jin-xin);  Guo, Q (Guo, Qi);  Guo, HX (Guo, Hong-xia);  Lu, W (Lu, Wu);  He, CH (He, Chao-hui)   |  收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2018/06/20 Eldrs  Sige Hbt  Gamma Irradiation  Bias Conditions   Single-event response of the SiGe HBT in TCAD simulations and laser microbeam experiment 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 8 作者:  Li, P (Li Pei);  Guo, HX (Guo Hong-Xia);  Guo, Q (Guo Qi);  Zhang, JX (Zhang Jin-Xin);  Xiao, Y (Xiao Yao) 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2017/09/14 SiGe heterojunction bipolar transistor  single event effect  three-dimensional numerical simulation  laser microbeam experiment   Simulation and sesign of single event effect radiation hardening for SiGe heterojunction bipolar transistor 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: 64, 期号: 11 作者:  Li, P (Li Pei);  Guo, HX (Guo Hong-Xia);  Guo, Q (Guo Qi);  Wen, L (Wen Lin);  Cui, JW (Cui Jiang-Wei) 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2015/07/11 SiGe heterojunction bipolar transistor  single event effect  hardening design  dummy collector