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机构
半导体研究所 [4]
采集方式
iSwitch采集 [2]
OAI收割 [2]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2002 [2]
2001 [2]
学科主题
半导体物理 [2]
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共4条,第1-4条
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专题:半导体研究所
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Impact of polarization on quasi-two-dimensional exciton and barrier-width dependence of the exciton associated transition in wurtzite III-V nitride quantum wells
期刊论文
OAI收割
solid state communications, 2002, 卷号: 122, 期号: 5, 页码: 287-292
Wan SP
;
Xia JB
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提交时间:2010/08/12
quantum wells
semiconductors
piezoelectricity
optical properties
OPTICAL-ABSORPTION
GAN
HETEROSTRUCTURES
SPECTROSCOPY
CONSTANTS
ENERGIES
LIFETIME
SPECTRA
FIELDS
INN
Impact of polarization on quasi-two-dimensional exciton and barrier-width dependence of the exciton associated transition in wurtzite iii-v nitride quantum wells
期刊论文
iSwitch采集
Solid state communications, 2002, 卷号: 122, 期号: 5, 页码: 287-292
作者:
Wan, SP
;
Xia, JB
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提交时间:2019/05/12
Quantum wells
Semiconductors
Piezoelectricity
Optical properties
Effects of piezoelectricity and spontaneous polarization on electronic and optical properties of wurtzite iii-v nitride quantum wells
期刊论文
iSwitch采集
Journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 12, 页码: 6210-6216
作者:
Wan, SP
;
Xia, JB
;
Chang, K
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提交时间:2019/05/12
Effects of piezoelectricity and spontaneous polarization on electronic and optical properties of wurtzite III-V nitride quantum wells
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 12, 页码: 6210-6216
Wan SP
;
Xia JB
;
Chang K
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提交时间:2010/08/12
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
RECOMBINATION DYNAMICS
WIDTH DEPENDENCE
GAN
EXCITONS
ABSORPTION
SPECTRA
SEMICONDUCTORS
LUMINESCENCE
CONSTANTS