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半导体研究所 [11]
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OAI收割 [11]
内容类型
期刊论文 [11]
发表日期
2016 [2]
2015 [1]
2013 [4]
2012 [1]
2010 [1]
2006 [2]
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学科主题
光电子学 [11]
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共11条,第1-10条
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学科主题:光电子学
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XPS study of impurities in Si-doped AlN film
期刊论文
OAI收割
surface and interface analysis, 2016, 卷号: 48, 期号: 12, 页码: 1305–1309
F. Liang
;
P. Chen
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
Z. J. Zhao
;
Z. S. Liu
;
J. J. Zhu
;
J. Yang
;
L. C. Le
;
W. Liu
;
X.G. He
;
X. J. Li
;
X Li
;
S. T Liu
;
H. Yang
;
J. P. Liu
;
L. Q. Zhang
;
Y. T. Zhang
;
G. T. Du
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提交时间:2017/03/10
The thickness design of unintentionally doped GaN interlayer matched with background doping level for InGaN-based laser diodes
期刊论文
OAI收割
aip advances, 2016, 卷号: 6, 页码: 035124
P. Chen
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
J. J. Zhu
;
Z. S. Liu
;
J. Yang
;
X. Li
;
L. C. Le
;
X. G. He
;
W. Liu
;
X. J. Li
;
F. Liang
;
B. S. Zhang
;
H. Yang
;
Y. T. Zhang
;
G. T. Du
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提交时间:2017/03/10
Optical and structural characteristics of high indium content InGaN/GaN multi-quantum wells with varying GaN cap layer thickness
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2015, 卷号: 117, 页码: 055709
J. Yang
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
P. Chen
;
J. J. Zhu
;
Z. S. Liu
;
L. C. Le
;
X. J. Li
;
X. G. He
;
J. P. Liu
;
H. Yang
;
Y. T. Zhang
;
G. T. Du
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提交时间:2016/03/23
Effects of matrix layer composition on the structural and optical properties of self-organized InGaN quantum dots
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2013, 卷号: 114, 期号: 9, 页码: 093105
Z. C. Li, J. P. Liu, M. X. Feng, K. Zhou, S. M. Zhang, H. Wang, D. Y. Li, L. Q. Zhang, Q. Sun, D. S. Jiang, H. B.Wang, and H. Yang
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提交时间:2014/04/30
Shock-induced brittle cracking in HVPE-GaN processed by laser lift-off techniques
期刊论文
OAI收割
journal of physics d-applied physics, 2013, 卷号: 46, 期号: 20, 页码: 205103
Su, X. J.
;
Xu, K.
;
Xu, Y.
;
Ren, G. Q.
;
Zhang, J. C.
;
Wang, J. F.
;
Yang, H.
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提交时间:2013/08/27
Electrical and optical inhomogeneity in N-face GaN grown by hydride vapor phase epitaxy
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2013, 卷号: 372, 页码: 43-48
Su, X. J.
;
Xu, K.
;
Ren, G. Q.
;
Wang, J. F.
;
Xu, Y.
;
Zeng, X. H.
;
Zhang, J. C.
;
Cai, D. M.
;
Zhou, T. F.
;
Liu, Z. H.
;
Yang, H.
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提交时间:2013/08/27
High efficient GaN-based laser diodes with tunnel junction
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, Applied Physics Letters, 2013, 2013, 卷号: 103, 103, 期号: 4, 页码: 043508, 043508
作者:
M. X. Feng, J. P. Liu, S. M. Zhang, D. S. Jiang, Z. C. Li, K. Zhou, D. Y. Li, L. Q. Zhang, F. Wang, H. Wang, P. Chen, Z. S. Liu, D. G. Zhao, Q. Sun, H. Yang
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提交时间:2014/04/09
Carriers capturing of V-defect and its effect on leakage current and electroluminescence in InGaN-based light-emitting diodes
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 2012, 卷号: 101, 101, 期号: 25, 页码: 252110, 252110
作者:
Le LC (Le, L. C.)
;
Zhao DG (Zhao, D. G.)
;
Jiang DS (Jiang, D. S.)
;
Zhang SM (Zhang, S. M.)
;
Yang H (Yang, H.)
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提交时间:2013/03/20
Performance of an embedded optical vector matrix multiplication processor architecture
期刊论文
OAI收割
iet optoelectronics, IET OPTOELECTRONICS, 2010, 2010, 卷号: 4, 4, 期号: 4, 页码: 159-164, 159-164
作者:
Yang C (Yang C.)
;
Cui GX (Cui G. X.)
;
Huang YY (Huang Y. Y.)
;
Wu L (Wu L.)
;
Yang H (Yang H.)
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提交时间:2010/09/07
Evolution of mosaic structure in InN grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 293, 期号: 2, 页码: 269-272
Huang Y (Huang Y.)
;
Wang H (Wang H.)
;
Sun Q (Sun Q.)
;
Chen J (Chen J.)
;
Li DY (Li D. Y.)
;
Zhang JC (Zhang J. C.)
;
Wang JF (Wang J. F.)
;
Wang YT (Wang Y. T.)
;
Yang H (Yang H.)
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提交时间:2010/04/11
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X-ray diffraction
metalorganic chemical vapor deposition
indium nitride
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