机构

• 半导体研究所 [8]

采集方式

• OAI收割 [8]

内容类型

• 期刊论文 [7]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2013 [1]
• 2012 [1]
• 2010 [1]
• 2009 [1]
• 2007 [2]
• 2006 [2]
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学科主题

• 半导体物理 [8]

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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Topological insulator-graphene junction for spin transport 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 2013, 卷号: 101, 101, 期号: 24, 页码: 243102, 243102 作者:  Li, H.;  Zhang, H. B.;  Shao, J. M.;  Zhang, Y. Y.;  Yao, D. X.   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2013/10/10 Topological insulator-graphene junction for spin transport 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 2012, 卷号: 101, 101, 期号: 24, 页码: 243102, 243102 作者:  Li H (Li, H.);  Zhang HB (Zhang, H. B.);  Shao JM (Shao, J. M.);  Zhang YY (Zhang, Y. Y.);  Yao DX (Yao, D. X.)   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2013/03/20 Single Dirac Cone  Surface  Bi2te3  Bi2se3  Single Dirac Cone  Surface  Bi2te3  Bi2se3   Ultrafast Kerr rotations and zero-field dephasing time of electron spins in InAs/GaAs quantum disks 期刊论文  OAI收割 physics letters a, PHYSICS LETTERS A, 2010, 2010, 卷号: 374, 374, 期号: 47, 页码: 4793-4796, 4793-4796 作者:  Ning JQ (Ning J. Q.);  Xu SJ (Xu S. J.);  Wei ZF (Wei Z. F.);  Ruan XZ (Ruan X. Z.);  Ji Y (Ji Yang)   |  收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/12/05 Optical Kerr effect  Optical Kerr Effect  Electron Spin  Quantum Disks  Inas/gaas  Refractive-index  Coherence  Gaas  Semiconductors  Electron spin  Quantum disks  InAs/GaAs  REFRACTIVE-INDEX  COHERENCE  GAAS  SEMICONDUCTORS   The investigation on strain relaxation and double peaks in photoluminescence of InGaN/GaN MQW layers 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 23, 页码: art.no.235104 Zhu, JH (Zhu, J. H.); Wang, LJ (Wang, L. J.); Zhang, SM (Zhang, S. M.); Wang, H (Wang, H.); Zhao, DG (Zhao, D. G.); Zhu, JJ (Zhu, J. J.); Liu, ZS (Liu, Z. S.); Jiang, DS (Jiang, D. S.); Qiu, YX (Qiu, Y. X.); Yang, H (Yang, H.) 收藏  |  浏览/下载：143/26  |  提交时间：2010/03/08 MULTIPLE-QUANTUM WELLS   Application of rapid thermal annealing on 1.3-1.55 mu m GaInNAs(Sb) lasers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2007, 卷号: 301, 期号: 0, 页码: 979-983 Zhao, H (Zhao, H.); Xu, YQ (Xu, Y. Q.); Ni, HQ (Ni, H. Q.); Zhang, SY (Zhang, S. Y.); Han, Q (Han, Q.); Du, Y (Du, Y.); Yang, XH (Yang, X. H.); Wu, RH (Wu, R. H.); Niu, ZC (Niu, Z. C.) 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/03/29 photoluminescence   Rapid photoluminescence quenching in GaInNAs quantum wells at low temperature 期刊论文  OAI收割 journal of luminescence, 2007, 卷号: 122 sp.iss.si, 期号: 0, 页码: 188-190 Sun, Z (Sun, Z.); Yang, XD (Yang, X. D.); Sun, BQ (Sun, B. Q.); Ji, Y (Ji, Y.); Zhang, SY (Zhang, S. Y.); Ni, HQ (Ni, H. Q.); Niu, ZC (Niu, Z. C.); Xu, ZY (Xu, Z. Y.) 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/03/29 GaInNAs/GaAs   Interplay between s-d exchange interaction and Rashba effect: Spin-polarized transport 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 13, 页码: art.no.132112 Yang W (Yang W.); Chang K (Chang Kai); Wu XG (Wu X. G.); Zheng HZ (Zheng H. Z.); Peeters FM (Peeters F. M.) 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/04/11 INJECTION  HETEROSTRUCTURE  SEMICONDUCTORS  TEMPERATURE   Nonradiative recombination effect on photoluminescence decay dynamics in GaInNAs/GaAs quantum wells - art. no. 61180Z 会议论文  OAI收割 conference on ultrafast phenomena in semiconductors and nanostructure materials x, san jose, ca, jan 23-25, 2006 Sun, Z (Sun, Z.); Xu, ZY (Xu, Z. Y.); Yang, XD (Yang, X. D.); Sun, BQ (Sun, B. Q.); Ji, Y (Ji, Y.); Zhang, SY (Zhang, S. Y.); Ni, HQ (Ni, H. Q.); Niu, ZC (Niu, Z. C.) 收藏  |  浏览/下载：182/36  |  提交时间：2010/03/29 GaInNAs/GaAs quantum wells  optical properties  nonradiative recombination effect  time-resolved photoluminescence  PL decay dynamics  PL thermal quenching  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAASN ALLOYS  EXCITATION