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半导体研究所 [23]
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OAI收割 [23]
内容类型
期刊论文 [23]
发表日期
2016 [1]
2015 [2]
2014 [2]
2011 [2]
2010 [5]
2009 [2]
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学科主题
半导体材料 [23]
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共23条,第1-10条
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学科主题:半导体材料
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High-Output-Power Ultraviolet Light Source from Quasi-2D GaN Quantum Structure
期刊论文
OAI收割
adv mater, 2016, 卷号: 28, 期号: 36, 页码: 7978-7983
Xin Rong
;
Xinqiang Wang
;
Sergey V. Ivanov
;
Xinhe Jiang
;
Guang Chen
;
Ping Wang
;
Weiying Wang
;
Chenguang He
;
Tao Wang
;
Tobias Schulz
;
Martin Albrecht
;
Valentin N. Jmerik
;
Alexey A. Toropov
;
Viacheslav V. Ratnikov
;
Vladimir I. Kozlovsky
;
Victor P. Martovitsky
;
Peng Jin
;
Fujun Xu
;
Xuelin Yang
;
Zhixin Qin
;
Weikun Ge
;
Junjie Shi
;
and Bo Shen
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提交时间:2017/03/10
High performance 2150 nm-emitting InAs/InGaAs/InP quantum well lasers grown by metalorganic vapor phase epitaxy
期刊论文
OAI收割
optics express, 2015, 卷号: 23, 期号: 7, 页码: 8383-8388
S. Luo
;
H.M. Ji
;
F. Gao
;
F. Xu
;
X.G. Yang
;
P. Liang
;
T. Yang
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提交时间:2016/03/22
Broadband tunable InAs/InP quantum dot external-cavity laser emitting around 1.55 mu
期刊论文
OAI收割
optics express, 2015, 卷号: 23, 期号: 14, 页码: 18493
F. Gao
;
S. Luo
;
H.M. Ji
;
X.G. Yang
;
P. Liang
;
T. Yang
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提交时间:2016/03/22
Large and robust electrical spin injection into GaAs at zero magnetic field using an ultrathin CoFeB/MgO injector
期刊论文
OAI收割
physical review b, 2014, 卷号: 90, 期号: 8, 页码: 085310
Liang, SH
;
Zhang, TT
;
Barate, P
;
Frougier, J
;
Vidal, M
;
Renucci, P
;
Xu, B
;
Jaffres, H
;
George, JM
;
Devaux, X
;
Hehn, M
;
Marie, X
;
Mangin, S
;
Yang, HX
;
Hallal, A
;
Chshiev, M
;
Amand, T
;
Liu, HF
;
Liu, DP
;
Han, XF
;
Wang, ZG
;
Lu, Y
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提交时间:2015/03/25
Evidence of Type-II Band Alignment in III-nitride Semiconductors: Experimental and theoretical investigation for In0.17Al0.83N/GaN heterostructures
期刊论文
OAI收割
scientific reports, 2014, 卷号: 4, 页码: 6521
Wang, JM
;
Xu, FJ
;
Zhang, X
;
An, W
;
Li, XZ
;
Song, J
;
Ge, WK
;
Tian, GS
;
Lu, J
;
Wang, XQ
;
Tang, N
;
Yang, ZJ
;
Li, W
;
Wang, WY
;
Jin, P
;
Chen, YH
;
Shen, B
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提交时间:2015/03/20
Thermal diffusion of nitrogen into ZnO film deposited on InN/sapphire substrate by metal organic chemical vapor deposition
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 11, 页码: 113509
Shi K (Shi K.)
;
Zhang PF (Zhang P. F.)
;
Wei HY (Wei H. Y.)
;
Jiao CM (Jiao C. M.)
;
Jin P (Jin P.)
;
Liu XL (Liu X. L.)
;
Yang SY (Yang S. Y.)
;
Zhu QS (Zhu Q. S.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
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提交时间:2012/02/22
Characteristics of high Al content AlGaN grown by pulsed atomic layer epitaxy
期刊论文
OAI收割
applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 20, 页码: 8718-8721
作者:
Jin P
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提交时间:2011/07/07
Photoluminescence
Raman scattering
Pulsed atomic layer epitaxy
AlGaN alloys
The growth of ZnO on bcc-In2O3 buffer layers and the valence band offset determined by X-ray photoemission spectroscopy
期刊论文
OAI收割
solid state communications, 2010, 卷号: 150, 期号: 41-42, 页码: 1991-1994
Song HP (Song H. P.)
;
Zheng GL (Zheng G. L.)
;
Yang AL (Yang A. L.)
;
Guo Y (Guo Y.)
;
Wei HY (Wei H. Y.)
;
Li CM (Li C. M.)
;
Yang SY (Yang S. Y.)
;
Liu XL (Liu X. L.)
;
Zhu QS (Zhu Q. S.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
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提交时间:2010/11/27
ZnO
In2O3
MOCVD
Photoelectron spectroscopies
IN2O3-ZNO FILMS
TRANSPARENT
OXIDE
SEMICONDUCTORS
INN
Fermi-Level Pinning at Metal/High-k Interface Influenced by Electron State Density of Metal Gate
期刊论文
OAI收割
ieee electron device letters, 2010, 卷号: 31, 期号: 10, 页码: 1101-1103
Yang ZC (Yang Z. C.)
;
Huang AP (Huang A. P.)
;
Zheng XH (Zheng X. H.)
;
Xiao ZS (Xiao Z. S.)
;
Liu XY (Liu X. Y.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Chu PK (Chu Paul K.)
;
Wang WW (Wang W. W.)
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提交时间:2010/11/14
Electron state density
Fermi-level pinning (FLP)
MIS structures
work function (WF)
WORK FUNCTION
Photoluminescence spectroscopy and positron annihilation spectroscopy probe of alloying and annealing effects in nonpolar m-plane ZnMgO thin films
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 15, 页码: art. no. 151904
作者:
Jin P
;
Wei HY
;
Song HP
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提交时间:2010/05/04
alloying
annealing
electrical conductivity
excitons
II-VI semiconductors
magnesium compounds
MOCVD coatings
photoluminescence
positron annihilation
semiconductor thin films
vacancies (crystal)
wide band gap semiconductors
zinc compounds
SEMICONDUCTORS
EMISSION
ORIGIN
DIODES