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半导体研究所 [26]
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OAI收割 [26]
内容类型
期刊论文 [26]
发表日期
2016 [5]
2015 [2]
2013 [4]
2012 [2]
2011 [1]
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学科主题
光电子学 [26]
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学科主题:光电子学
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XPS study of impurities in Si-doped AlN film
期刊论文
OAI收割
surface and interface analysis, 2016, 卷号: 48, 期号: 12, 页码: 1305–1309
F. Liang
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P. Chen
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D. G. Zhao
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D. S. Jiang
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Z. J. Zhao
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Z. S. Liu
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J. J. Zhu
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J. Yang
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X Li
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Y. T. Zhang
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G. T. Du
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提交时间:2017/03/10
The thickness design of unintentionally doped GaN interlayer matched with background doping level for InGaN-based laser diodes
期刊论文
OAI收割
aip advances, 2016, 卷号: 6, 页码: 035124
P. Chen
;
D. G. Zhao
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D. S. Jiang
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J. J. Zhu
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Z. S. Liu
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J. Yang
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X. Li
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L. C. Le
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F. Liang
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H. Yang
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Y. T. Zhang
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G. T. Du
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提交时间:2017/03/10
Photoelectron spectroscopy study of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD
期刊论文
OAI收割
applied physics a, 2016, 卷号: 122, 期号: 9
F. Liang
;
P. Chen
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D. G. Zhao
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D. S. Jiang
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Z. J. Zhao
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Z. S. Liu
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J. J. Zhu
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J. Yang
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W. Liu
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Y. T. Zhang
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G. T. Du
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提交时间:2017/03/10
Effects of Si-doping on field emission characteristics of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD
期刊论文
OAI收割
materials technology, 2016
F. Liang
;
P. Chen
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
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Z. S. Liu
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J. J. Zhu
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J. Yang
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W. Liu
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X. Li
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H. Yang
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Y. T. Zhang
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G. T. Du
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提交时间:2017/03/10
Emission efficiency enhanced by reducing the concentration of residual carbon impurities in InGaN/GaN multiple quantum well light emitting diodes
期刊论文
OAI收割
optics express, 2016, 卷号: 24, 期号: 13, 页码: 13824-13831
J. Yang
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
P. Chen
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Z. S. Liu
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J. J. Zhu
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X. J. Li
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X. G. He
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J. P. Liu
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L. Q. Zhang
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H. Yang
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Y. T. Zhang
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G. T. Du
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提交时间:2017/03/10
Optical and structural characteristics of high indium content InGaN/GaN multi-quantum wells with varying GaN cap layer thickness
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2015, 卷号: 117, 页码: 055709
J. Yang
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
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P. Chen
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J. J. Zhu
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Z. S. Liu
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L. C. Le
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X. J. Li
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J. P. Liu
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H. Yang
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Y. T. Zhang
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G. T. Du
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提交时间:2016/03/23
Temperature dependence of photoluminescence spectra for green ligh emission from InGaN/GaN multiple wells
期刊论文
OAI收割
optics express, 2015, 卷号: 23, 期号: 12, 页码: 15935
W. Liu
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
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P. Chen
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Z. S. Liu
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J. J. Zhu
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M. Shi
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D. M.Zhao
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X. Li
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J. P. Liu
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S. M. Zhang
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H. Wang
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H. Yang
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Y. T. Zhang
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G. T.Du
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提交时间:2016/03/23
Effects of matrix layer composition on the structural and optical properties of self-organized InGaN quantum dots
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2013, 卷号: 114, 期号: 9, 页码: 093105
Z. C. Li, J. P. Liu, M. X. Feng, K. Zhou, S. M. Zhang, H. Wang, D. Y. Li, L. Q. Zhang, Q. Sun, D. S. Jiang, H. B.Wang, and H. Yang
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提交时间:2014/04/30
Shock-induced brittle cracking in HVPE-GaN processed by laser lift-off techniques
期刊论文
OAI收割
journal of physics d-applied physics, 2013, 卷号: 46, 期号: 20, 页码: 205103
Su, X. J.
;
Xu, K.
;
Xu, Y.
;
Ren, G. Q.
;
Zhang, J. C.
;
Wang, J. F.
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Yang, H.
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提交时间:2013/08/27
Electrical and optical inhomogeneity in N-face GaN grown by hydride vapor phase epitaxy
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2013, 卷号: 372, 页码: 43-48
Su, X. J.
;
Xu, K.
;
Ren, G. Q.
;
Wang, J. F.
;
Xu, Y.
;
Zeng, X. H.
;
Zhang, J. C.
;
Cai, D. M.
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Zhou, T. F.
;
Liu, Z. H.
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Yang, H.
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提交时间:2013/08/27