中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
西安光学精密机械研究... [1]
采集方式
OAI收割 [1]
内容类型
专利 [1]
发表日期
1997 [1]
学科主题
筛选
浏览/检索结果:
共1条,第1-1条
帮助
限定条件
内容类型:专利
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
发表日期升序
发表日期降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
Selectively Si-doped InAs/A1AsSb short-period-superlattices as N-type cladding layers for mid-IR laser structures grown on InAs substrates
专利
OAI收割
专利号: US5594750, 申请日期: 1997-01-14, 公开日期: 1997-01-14
作者:
ZHANG, YONG H.
;
CHOW, DAVID H.
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2019/12/26